ЛОКАЛЬНОЕ
ИЗМЕРЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ С ПОМОЩЬЮ ТЕРАГЕРЦОВОЙ ДЖОЗЕФСОНОВСКОЙ
СПЕКТРОСКОПИИ
А. В. Снежко1,2,
В. В. Павловский1, В. Н. Губанков1, В. И. Покалякин1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
2Московский физико-технический институт (ГУ)
Статья получена 15
сентября 2015 г.
Аннотация. В работе продемонстрирована методика локального определения
действительной части диэлектрической проницаемости различных материалов c малым тангенсом угла потерь, основанная
на джозефсоновской спектроскопии, в терагерцовой области частот. Для () r-сапфира и (001) NdGaO3 получены
значения εsapphire = 9.6 при частоте f=155,2 ГГц и εNGO = 23 при частоте f=106,4 ГГц,
соответственно.
Ключевые слова: терагерцовая электроника, сверхпроводимость, джозефсоновский
переход.
Abstract. In the paper a method based on Josephson spectroscopy for local
measurement of real dielectric permittivity of different materials with low
losses is demonstrated. Dielectric permittivities of r-cut sapphire εsapphire = 9.6 at f=155,2 GHz and (001) NdGaO3 εNGO = 23 at f=106,4 GHz are obtained.
Key words: terahertz electronics, superconductivity, Josephson junction.