c1.gif (954 bytes) "ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"  N 4, 2003 оглавление

  текст

дискуссия

c2.gif (954 bytes)

 

Электрополевой гистерезис в гетеросистеме

n-AlGaAs/GaAs с 2D электронами

 

 

В.И. Кадушкин, e-mail: kadush@ttc.ryazan.ru

Рязанский государственный педагогический университет.

 

 

 

Получена 02 апреля 2003 г.

 

        Обнаружено явление электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики (ВАХ) латеральной проводимости одиночного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs при фиксированных температурах 4.2 и 77 К. Петля гистерезиса при циклировании вырождается в обратимую ветвь ВАХ существенно различным образом для указанных температур. Эффект гистерезиса восстанавливается при отогревании до комнатной температуры. Качественное объяснение наблюдаемому явлению было дано в предположении несимметричности электрополевой активизации DX – центров границы раздела гетероперехода. Выполнены оценки некоторых параметров DX – центров.

 

оглавление

  текст

дискуссия