Высокочастотные диэлектрические измерения

легированного монокристалла TlGaS₂<Cr>

С. Н. Мустафаева
Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана

Получена 16 июля 2008 г.
 

В слоистых монокристаллах TlGaS₂<Cr> изучена частотная дисперсия тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ), действительной (ε) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической   проницаемости   и   ac-проводимости  (σ_ac)    поперек    слоев    в   области     частот f=5·10⁴÷3.5·10⁷ Hz. Установлено, что в изученных монокристаллах TlGaS₂<Cr> имеет место релаксационная дисперсия. Частичное замещение галлия в монокристаллах TlGaS₂ хромом приводит к модифицированию дисперсионных кривых ε′(f) и ε″(f).

В диапазоне частот   f = 4·10⁵÷1.2·10⁷  Hz   ac-проводимость монокристалла TlGaS₂<Cr> подчинялась закономерности σ_ac ~ f ^0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность (N_F) и разброс (∆E) состояний, лежащих в окрестности уровня Ферми N_F = 1.6·10¹⁹ eV^–1·cm^–3   и   ∆E = 5·10^–2 eV;   среднее время (τ) и расстояние  (R)  прыжков τ = 0.16 mks и R = 85 Å.