УДК 537.9, 538.91, 538.915

ТУННЕЛЬНЫЕ ПОЛЯРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ НА УРОВНЕ ФЕРМИ ДВУМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЫ

 

И. Н. Котельников ^1,2, С. Е. Дижур ¹, Н. А. Мордовец ¹

¹ Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия

² International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland

 

Статья получена 25 декабря 2014 г.

 

Аннотация. Исследовались туннельные структуры Al/дельта-GaAs с сильным беспорядком в двумерной электронной системe дельта-слоя. В некоторых структурах за счет диамагнитного сдвига уровней удалось добиться изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Показано, что в последнем случае это может приводить к немонотонной зависимости туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля.

Ключевые слова: туннельная спектроскопия, двумерные электронные системы, туннельная плотность состояний.

Abstract: We investigated the tunneling structure Al/δ-GaAs with a strong disorder in two-dimensional electron system of the δ-layer. In some structures due to the diamagnetic shift of the levels we archived changing of the shape of the phonon lines and conditions close to the resonant polaron state. It is shown that in the latter case, this can lead to a nonmonotonic dependence of the tunneling density of states at the Fermi level on the magnetic field.

Key words: tunneling spectroscopy, two-dimensional electron systems, tunneling density of states.