УДК 537.312.7

ПРОТОТИП МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ НА ОСНОВЕ МДМ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ Hf_xAl_1-xO_y С ПЕРЕМЕННЫМ СОСТАВОМ

 

А. А. Чуприк¹, А. С. Батурин¹, К. В. Булах¹, К. В. Егоров¹, А. А. Кузин¹, Д. В. Негров¹, С. А. Зайцев¹, А. М. Маркеев¹,
Ю. Ю. Лебединский^3,1, Е. С. Горнев^2,1, О. М. Орлов^2,1, А. В. Заблоцкий¹

¹ Московский физико-технический институт (государственный университет)
² Научно-исследовательский институт молекулярной электроники

³ Научно-исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Получена 17 июня 2013 г.

                                                                                                                      

Аннотация.  Изготовлены и исследованы с точки зрения функциональности структуры, являющиеся прототипом ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных плёнках Hf_xAl_1-xO_y с переменным (по глубине) содержанием Al. Изготовленные структуры моделируют размещение ячеек энергонезависимой памяти между слоями металлизации интегральных схем. Полученные функциональные параметры ячеек в части снижения напряжения записи и повышения скорости записи информации существенно превосходят параметры традиционной флэш-памяти.

Ключевые слова: эффект резистивного переключения, атомно-слоевое осаждение, энергонезависимая память, оксид гафния, ReRAM.

Abstract.  Prototype of non-volatile resistive switch memory cell based on MIM-structures using gradient Hf_xAl_1-xO_y  as insulator layer was produced and its functional properties was investigated. These structures imitate placing of memory cells at metallization layers. Its rewrite voltage is considerably lower and its rewrite speed is considerably faster then as compared with traditional flash-memory cell.
Keywords: resistive switch effect, atomic layer deposition, non-volatile memory, hafnium oxide, ReRAM.