Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa_1–xFe_xSe₂ в переменных электрических полях

С. Н. Мустафаева
Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана

Получена 28 апреля 2008 г.

Изучено влияние частичного замещения галлия железом в слоистых монокристаллах TlGaSe₂ на диэлектрические свойства полученных кристаллов в переменных электрических полях. Исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tgd), диэлектрической проницаемости (e) и ac-проводимости вдоль С-оси кристаллов в частотном диапазоне 5×10⁴¸3.5×10⁷ Hz. Установлено, что в переменных электрических полях в монокристаллах TlGa_1–xFe_xSe₂ (x = 0; 0.001; 0.005 и 0.01) имеет место прыжковая проводимость s_ac ~ f ^0.8 по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Установлено, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах TlGa_1–xFe_xSe₂ граничная частота, при которой имел место f ^0.8 – закон для проводимости, смещалась в сторону более низких частот. При высоких частотах в монокристаллах TlGa_1–xFe_xSe₂ на зависимости s_ac(f) наблюдается суперлинейный участок fⁿ, где n=1.1¸2.0. Оценены плотность локализованных состояний,   ответственных   за  ac-проводимость, среднее время и расстояние прыжков, разброс ловушечных состояний вблизи уровня Ферми в монокристаллах TlGa_1–xFe_xSe₂ различного состава. Показано, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах удельное сопротивление их уменьшается, среднее время и расстояние прыжков увеличиваются, а частота, при которой начинают проявляться релаксационные потери, смещается в сторону низких частот.