"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" №11, 2007

оглавление              текст   


УДК
621.382.2

ДИОДЫ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ФОСФИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ТЕРМОМЕТРИИ

 

С.Ю. Ерохин*, В.А. Краснов*, Ю.М. Шварц**, С.В. Шутов*
 

* Херсонский национальный технический университет, ** Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины

 

Получена 23 ноября 2007 г.

Сообщается о разработке методики получения эпитаксиальных структур GaP n-p+-типа из жидкой фазы для высокотемпературных диодов. Измерены термометрические характеристики диодов в диапазоне 80¸520К. Показана, в частности, перспективность применения подобных диодов в высокотемпературной термометрии, а также отмечается высокая воспроизводимость термометрических характеристик диодов и низкое энергопотребление.

 

   xxx