ДИОДЫ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ФОСФИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ТЕРМОМЕТРИИ
С.Ю. Ерохин*, В.А. Краснов*, Ю.М. Шварц**, С.В. Шутов*
* Херсонский национальный технический университет, ** Институт
физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины
Получена 23 ноября 2007 г.
Сообщается о разработке методики получения
эпитаксиальных структур GaP n-p+-типа из жидкой фазы для высокотемпературных диодов.
Измерены термометрические характеристики диодов в диапазоне 80¸520К. Показана, в частности, перспективность
применения подобных диодов в высокотемпературной термометрии, а также
отмечается высокая воспроизводимость термометрических характеристик диодов и
низкое энергопотребление.