РАСЧЕТ ЭВОЛЮЦИИ КЛАСТЕРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С УЧЕТОМ ДИФФУЗИИ И НЕКОТОРЫХ ВТОРИЧНЫХ ПРОЦЕССОВ

Е.Л. Панкратов
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

Получена 26 мая 2007 г.

В настоящей работе проведен анализ эволюции концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий). Расчеты произведены с учетом дискретного во времени и пространстве попадания ионов на поверхность образца. На примере облучения кремния ионами неона рассчитаны зависимости концентрации дефектов от глубины при различных дозах (временах облучения) и зависимость дозы аморфизации от плотности ионного тока.