ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2015, № 9 · СМЕЖНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Нелинейные искажения, возникающие при восстановлении высокочастотных оптических импульсов

Е.В. Никишин1, Е.Е. Пескова1

1 Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, г. Саранск, Россия
Полный текст УДК 621.383.4, 621.382.2/.3 EDN UMAEWL

Аннотация

В статье проведены теоретические исследования коэффициента нелинейных искажений восстановленного высокочастотного оптического сигнала. Расчеты сделаны для фотоприемников с различными законами рекомбинации. Определены условия, при которых нелинейных искажения малы.

  • механизмы рекомбинации
  • кинетика фотопроводимости
  • нелинейные искажения
  • периодическое возбуждение
Abstract (in English)

N the article theoretical study of the nonlinear distortion of the restored high frequency optical signal. Calculations are made for photodetectors with different laws of recombination. The conditions under which nonlinear distortion is small.

Для цитирования

Никишин Е.В., Пескова Е.Е. Нелинейные искажения, возникающие при восстановлении высокочастотных оптических импульсов // Журнал радиоэлектроники. – 2015. – № 9.

Литература

  1. Мхитарян В. М., Партамян Х. В. Скоростные фотоприемники импульсного излучения на основе «инерционных» фоторезисторов и фотодиодов.// ЖТФ, 1982, т. 52, № 9, с. 1900 - 1902.
  2. Горюнов В.А., Гришаев В.Я., Никишин Е.В. Кинетика фотопроводимости при возбуждении высокочастотными импульсами.// Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, №4, с. 242 - 250.
  3. Гришаев В.Я., Никишин Е.В. Фотоэлектрический преобразователь высокочастотного оптического сигнала.//патент на полезную модель, RUS 132287, 24.12.2012.
  4. Никишин Е.В. О границах применимости способа восстановления временной формы модулированных оптических сигналов с частотой выше граничной частоты фоторезистора.//Физика и техника полупроводников, 2014, т. 48, № 11, с. 1526-1529.
  5. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. - 568 с.
  6. Блекмор Д. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. - 392 с.
  7. Горюнов В.А., Гришаев В.Я., Никишин Е.В. Об изменении времен жизни носителей заряда при импульсном фотовозбуждении в кремнии с глубокими примесными центрами.// Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, №4, с. 118-126
  8. Denisov B. N., Nikishin E.V. Investigations of the Kinetics of Nonequilibrium Carriers in a Semiconductor by the Average Value of the Photoconductivity under Periodic Optical Excitation. // Semiconductors, 2014, vol. 48, №2, p.163-166.
  9. Смит Р. Полупроводники: пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 560 с.
  10. D.V. Lang, H.G. Grimmeiss, E. Meijer, and M. Jaros, Complex nature of gold-related deep levels in silicon, Phys. Rev., 1980, v. 22, p. 3917 - 3925.