Дисперсия диэлектрических коэффициентов и AC-проводимости монокристаллов TlGa_1-хСо_хS₂ в радиочастотном диапазоне

Аннотация

В слоистых монокристаллах TlGa1-хСохS2 (х = 0.005; 0.01) изучены частотные зависимости диэлектрических характеристик и ac-проводимости (sac) поперек слоев в частотном диапазоне f = 5?104?3.4?107 Гц. Установлено, что в TlGa1-хСохS2 наряду с потерями на электропроводность имеют место также релаксационные потери. Обнаружено, что в частотной области 5?104?2.107 Гц в монокристаллах TlGa1-хСохS2 имеет место прыжковый механизм переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность (NF) и энергетический разброс (?E) этих состояний, среднее время (?) и расстояние (R) прыжков. Изучено влияние состава кристаллов TlGa1-хСохS2 на их диэлектрические коэффициенты. Установлено, что с ростом содержания кобальта в кристаллах NF и ?E возрастают, а ? и R уменьшаются.

Для цитирования

Литература

1. Мустафаева С.Н., Алиев В.А., Асадов М.М. Прыжковая проводимость на постоянном токе в монокристаллах TlGaS2 и TlInS2 // ФТТ. 1998. Т. 40. № 4. С. 612 - 615.
2. Мустафаева С.Н. Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов слоистых монокристаллов TlGaS2 // ФТТ. 2004. Т. 46. № 6. C. 979 - 981.
3. Мустафаева С.Н. Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xMnxS2 (0 £ x < 0.03) // Изв. РАН. Неорганические материалы. 2006. Т. 42. № 5. С. 530 - 533.
4. Mustafaeva S.N., KerimovaE.M., Seidov F.M., Jabbarly A.I. Novel Thermoelectric Materials on the Base of TlGaS2 - TlCoS2 // Book of Abstracts of 13-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC 13). Paris. France. October 14 - 18. 2002. P. 125.
5. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир. 1974. 472 с.
6. Pollak M. Frequency dependence of conductivity in amorphous solids // Philos. Mag. 1971. V. 23. P. 519 - 542.
7. Augelli V., Manfredotti C., Murri R. et al. Anomalous impurity conductivity in n-GaSe and n-GaS // L. Nuovo Cimento. B. 1977. V. 38. No 2. P. 327 - 336.
8. Аллахвердиев К.Р., Виноградов Е.А., Нани Р.Х. и др. Колебательный спектр кристаллов TlGaS2, TlGaSe2 и β-TlInS2 // Физические свойства сложных полупроводников. Баку: Элм. 1982. С. 55 - 63.