ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2021, № 12 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры с донорной AlAs нановставкой

М.М. Абдулов1, А.С. Вергаскина2, А.В. Лобанова1,2, Е.С. Пирожкова2, А.А. Веденеев1,2

1 АО «НПП «Исток» им. Шокина», Фрязино
2 РТУ МИРЭА, Россия
Полный текст (PDF) DOI: 10.30898/1684-1719.2021.12.4 УДК 621.382 EDN WRKKTG

Аннотация

В работе рассматривается способ улучшения планарной однородности слоевого сопротивления AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры путем формирования донорной вставки AlAs толщиной 5 нм в барьерном слое. Структуры выращиваются методом МОС-гидридной эпитаксии на полуизолирующей GaAs(001) подложке диаметром 76.2 мм. Установлено, что гетероструктурам с AlAs нановстакой стабильно соответствует среднеквадратическое отклонение слоевого сопротивления по пластине менее 1%. Структуры удовлетворяют всем действующим техническим требованиям, в том числе, требованиям к плотности светорассеивающих дефектов поверхности. Посредством атомно-силовой микроскопии установлено, что поверхности структур имеют близкую к идеальной террасированную морфологию.

  • МОС-гидридная эпитаксия
  • pHEMT-структура
  • слоевое сопротивление
  • двумерный электронный газ
  • подвижность электронов
  • концентрация электронов
  • эффект Холла
  • атомно-силовая микроскопия
Abstract (in English)

AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures with AlAs donor nanoinsertion

In the present paper we study a method to improve planar uniformity of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures sheet resistance by means of introducing of 5 nm thick AlAs donor insertion into the barrier layer. The structures are grown by MOCVD at 76.2 mm GaAs(001) semi-isolating wafer. It has been found out that such structures stably have sheet resistance square root deviation lower than 1%. All the structures have passed technical control by the haze. The atomic-force microscopy studies show nearly ideal morphology of the structures surfaces.

Для цитирования

Абдулов М.М., Вергаскина А.С., Лобанова А.В., Пирожкова Е.С., Веденеев А.А. AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры с донорной AlAs нановставкой // Журнал радиоэлектроники. – 2021. – № 12. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2021.12.4

Литература

  1. He Z., Wang H., Wang Q., Fan J., Zou Y., Ma X. The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD. Optical Materials. 2020. V.108. P.110227. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2020.110227
  2. Vinichenko A.N., Vasil'evskii I.S. Pseudomorphic HEMT quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs with AlAs:delta-Si donor layer. Material Science and Engineering. 2016. V.151. №1. P.012037. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/151/1/012037
  3. Castillo-Ojedaa R.S., Díaz-Reyesb J., Arellanoc M.G., Peralta-Clarab M.C., Veloz-Rendónb S.J. Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD. Materials Research. 2017. V.20. №5 P.1166-1173. https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2016-0512