Электросопротивление и оптическая проводимость монокристалла антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4
Аннотация
Исследована анизотропия электросопротивления и оптических свойств монокристалла антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4. Показано, что электросопротивление MnBi2Te4, измеренное перпендикулярно плоскости (00 l ) монокристалла, на порядок величины превышает сопротивление, измеренное в данной плоскости. Поведение оптической проводимости имеет качественно схожий характер для случаев, когда свет направлен на поверхность (00 l ) и на поверхность, перпендикулярную плоскости (00 l ). Показано, что оптический спектр MnBi2Te4 формируется преимущественно межзонными переходами носителей заряда.
- антиферромагнитный топологический изолятор MnBi<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>
- монокристалл
- анизотропия
- электросопротивление
- оптическая проводимость
Abstract (in English)
Electrical resistivity and optical conductivity of the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 single crystal
The anisotropy of the electrical resistivity and optical properties of the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 single crystal has been studied. It is shown that the electrical resistivity of MnBi2Te4 measured perpendicular to the (00 l ) plane is an order of magnitude higher than the resistivity measured in this plane. The behavior of optical conductivity is qualitatively similar for the cases when light is directed at the surface (00 l ) and at a surface perpendicular to the plane (00 l ). It has been shown that the optical spectrum of MnBi2Te4 is formed predominantly by interband transitions of charge carriers.
Для цитирования
Фоминых Б.М., Перевалова А.Н., Марченкова Е.Б., Шредер Е.И., Наумов С.В., Марченков В.В. Электросопротивление и оптическая проводимость монокристалла антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 // Журнал радиоэлектроники. – 2023. – № 11. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.11.16
Литература
- Yue C. et al. Device applications of synthetic topological insulator nanostructures // Electronics. - 2018. - V. 7. - №. 10. - P. 225. https://doi.org/10.3390/electronics7100225
- Liu C.W. et al. Development of topological insulator and topological crystalline insulator nanostructures // Nanotechnology. - 2020. - V. 31. - №. 19. - P. 192001. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab6dfc
- Pesin D., MacDonald A. H. Spintronics and pseudospintronics in graphene and topological insulators // Nature materials. - 2012. - V. 11. - №. 5. - P. 409-416. https://doi.org/10.1038/nmat3305
- Zhang H., Zhang S.C. Topological insulators from the perspective of first-principles calculations //physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters. - 2013. - V. 7. - №. 1-2. - P. 72-81. https://doi.org/10.1002/pssr.201206414
- Moore J.E. The birth of topological insulators //Nature. - 2010. - V. 464. - №. 7286. - P. 194-198. https://doi.org/10.1038/nature08916
- Lee D.S. et al. Crystal structure, properties and nanostructuring of a new layered chalcogenide semiconductor, Bi2MnTe4 //CrystEngComm. - 2013. - V. 15. - №. 27. - P. 5532-5538. https://doi.org/10.1039/C3CE40643A
- Otrokov M.M. et al. Prediction and observation of an antiferromagnetic topological insulator //Nature. - 2019. - V. 576. - №. 7787. - P. 416-422. https://doi.org/10.1038/s41586-019-1840-9
- Deng Y. et al. Quantum anomalous Hall effect in intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4 //Science. - 2020. - V. 367. - №. 6480. - P. 895-900. https://doi.org/10.1126/science.aax8156
- Liu C. et al. Robust axion insulator and Chern insulator phases in a two-dimensional antiferromagnetic topological insulator //Nature material. - 2020. - V. 19. - №. 5. - P. 522-527. https://doi.org/10.1038/s41563-019-0573-3
- Li J. et al.Intrinsic magnetic topological insulators in van der Waals layered MnBi2Te4-family materials //Science Advances. - 2019. - V. 5. - №. 6. - P. eaaw5685. https://doi.org/10.1126/sciadv.aaw5685
- Шикин А.M. и др. Модуляция энергетической запрещенной зоны в точке Дирака в антиферромагнитном топологическом изоляторе MnBi2Te4 как результат изменений поверхностного градиента потенциала /Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2022. - Т. 161. - №. 1. - С. 126-136.
- Макарова Т.П. и др. Влияние атомов Co на электронную структуру топологических изоляторов Bi2Te3 и MnBi2Te4. - 2022. // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2022. - Т. 161. - № 5. - C. 711-719.
- Шикин А.М. и др. Электронная, спиновая структура и магнитные свойства собственных антиферромагнитных топологических изоляторов семейства MnBi2Te4 (Bi2 Te3) m (Миниобзор) //Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2022. - Т. 115. - №. 4. - С. 241-255.
- Абдуллаев Н.А. и др. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4 //Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63. - №. 8. - С. 1062-1067.
- Вальков В.В., Злотников А.О., Гамов А. Взаимосвязь магнетизма и топологии в MnBi2Te4 //Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2023. - Т. 118. - №. 5. - С. 330-337.
- Köpf M. et al. Influence of magnetic ordering on the optical response of the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 //Physical Review B. - 2020. - V. 102. - №. 16. - P. 165139. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.165139
- Tomarchio L. et al. Electrodynamics of MnBi2Te4 intrinsic magnetic topological insulators //NPG Asia Materials. - 2022. - V. 14. - №. 1. - P. 82. https://doi.org/10.1038/s41427-022-00429-w
- Lee S.H. et al. Spin scattering and noncollinear spin structure-induced intrinsic anomalous Hall effect in antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 //Physical Review Research. - 2019. - V. 1. - №. 1. - P. 012011. https://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.1.012011
- Zeugner A. et al. Chemical aspects of the candidate antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 //Chemistry of Materials. - 2019. - V. 31. - №. 8. - P. 2795-2806. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b05017
- Marchenkov V.V. et al. Temperature breakdown phenomenon in tungsten single crystals at high magnetic fields //Journal of low temperature physics. - 1995. - V. 98. - P. 425-447. https://doi.org/10.1007/BF00752277
- Hosur P., Parameswaran S. A., Vishwanath A. Charge transport in Weyl semimetals //Physical review letters. - 2012. - V. 108. - №. 4. - P. 046602. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.046602
- Bacsi A., Virosztek A. Low-frequency optical conductivity in graphene and in other scale-invariant two-band systems //Physical Review B. - 2013. - V. 87. - №. 12. - P. 125425. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.125425
- Zhukova E. S. et al. Infrared optical conductivity of Bulk Bi2Te2Se //Crystals. - 2020. - V. 10. - №. 7. - P. 553. https://doi.org/10.3390/cryst10070553
- Chen Y. J. et al. Topological electronic structure and its temperature evolution in antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 //Physical Review X. - 2019. - V. 9. - №. 4. - P. 041040. https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.041040