Определение параметров модели полевого транзистора в равномерном приближении

Аннотация

В работе рассматривается идентификация параметров модели GaN полевого транзистора с изолированным затвором. В настоящее время для идентификации используется, как правило, метод наименьших квадратов, обеспечивающий минимальную среднеквадратическую погрешность модели. Однако, такой способ создает неопределенность при анализе электронных цепей на наихудший случай, поскольку максимальная погрешность модели остается неизвестной. Идентификацию в этом случае целесообразно проводить в равномерном (чебышевском) приближении, то есть, минимизируя максимальною погрешность модели. К сожалению, стандартные градиентные программы оптимизации не позволяют этого сделать, поскольку целевая функция становится в последнем случае неаналитической. Используемые методы случайного спуска надежны, но крайне медленны, что и препятствует их практическому применению. В работе предлагается использовать для случайного спуска специальный закон распределения случайных параметров с особенностью в центральной точке. Случайный спуск при этом существенно ускоряется при продвижении по дну овражной структуры целевой функции, независимо от степени ее жесткости. Эксперимент показывает, что время спуска сокращается при этом на два порядка величины.

• равномерная аппроксимация
• случайный спуск
• метод наименьших квадратов
• параметрическая идентификация

Для цитирования