ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2002, № 10 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

О временной задержке высокочастотных модулирующих сигналов в лавинных фотодиодах

В.И. Григорьевский1, А.А. Личманов1, Ю.О. Яковлев1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация

В работе проведено исследование неоднородности фоточуствительной площадки лавинных фотодиодов SSO-AD-500 NF фирмы Silicon Sensor по временному отклику модулирующих высокочастотных сигналов. Показано, что при диаметре фоточуствительной площадки 500 мкм, запаздывание высокочастотного сигнала от края площадки к ее центру может составлять более 100 пксек. В лучших образцах неоднородность составляет 20 пксек Корреляции между временной и амплитудной неоднородностью не наблюдалось. Для высокоточных измерений временных интервалов на оптической несущей необходимо проводить отбор лучших образцов фотодиодов.

Для цитирования

Григорьевский В.И., Личманов А.А., Яковлев Ю.О. О временной задержке высокочастотных модулирующих сигналов в лавинных фотодиодах // Журнал радиоэлектроники. – 2002. – № 10.