2007, № 11 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Диоды на основе эпитаксиального фосфида галлия для высокотемпературной термометрии
1 Херсонский национальный технический университет
2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Украина
Аннотация
Сообщается о разработке методики получения эпитаксиальных структур GaP n-p+-типа из жидкой фазы для высокотемпературных диодов. Измерены термометрические характеристики диодов в диапазоне 80?520К. Показана, в частности, перспективность применения подобных диодов в высокотемпературной термометрии, а также отмечается высокая воспроизводимость термометрических характеристик диодов и низкое энергопотребление.
Для цитирования
Ерохин С.Ю., Краснов В.А., Шварц Ю.М., Шутов С.В. Диоды на основе эпитаксиального фосфида галлия для высокотемпературной термометрии // Журнал радиоэлектроники. – 2007. – № 11.
Литература
- Zipperian Th.E., Chaffin R.J., Dawson I.A. // IEEE Trans. on Ind. Electron, 1982, IE-29, p.129.
- Шварц Ю.М. Дис. докт. ф.-м. н. Киев, ИФП им. В.Е. Лашкарева НАНУ, 2004.
- Shwarts Yu.M., Borblick V.L., Kulish N.R., Venger E.F., Sokolov V.N. Novel Method for Optimization of Diode Temperature Sensors. // Book of Abstracts the 13th European Conf. Solid-State Transducers - Session 13P: Physical Sensors and Systems - The Hague (The Netherlands), 1999, p.403-406.
- Sclar D., Pollock D.B. On diode thermometers. Sol. St. Electron, 1972, v.15, N2, pp.473-480.
- Краснов В.А., Шварц Ю.М. Жидкостная эпитаксия слоев GaP(N) для высокотемпературных диодных сенсоров. Тез. докл. Х нац. конф. по росту кристаллов, НКРК - 2002, Москва, ИК РАН, 2002, с.525.
- Василенко Н.Д., Краснов В.А., Крыжановский А.Н., Чернер В.М. // Изв. высш. учебн. заведений. Физика, 1991, №1, с.23-27.
- Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N.Y., Wiley, 1981.
- Соболев М.М., Никитин В.Г. Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP. // Письма в ЖТФ, 1998, т.24, №9, с.1-7.