ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2011, № 2 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Применение пористых слоев и оптимизация отжига примеси для увеличения резкости p-n-переходов в биполярных гетеротранзисторах

Е.Л. Панкратов1

1 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Россия
Полный текст (PDF) EDN NUESSL

Аннотация

В данной работе рассматривается способ уменьшения глубины залегания биполярного транзистора в полупроводниковой гетероструктуре, а также увеличения равномерности распределения примеси в легированной области. Данный метод базируется на использовании многослойности гетероструктуры и оптимизации отжига. Для усиления обоих эффектов используется дефектность (пористость) одного из слоев гетероструктуры.

  • увеличение резкости p-n-переходов
  • оптимизация отжига
  • биполярные гетеротранзисторы
  • гетероструктуры с пористыми слоями
Abstract (in English)

In this paper we consider an approach to decrease depth of p-n-junctions in a bipolar transistor in a semiconductor heterostructure. At one time with the decreasing of the depth homogeneity of dopant distributions in doped area increases. The approach based on application of inhomogeneity of the heterostructure and optimization of annealing time. To increase the both effects (decreasing of the depth and increasing of homogeneity of dopant distributions) it could be used inhomogenous distribution of defects (for example, porous) of materials of the heterostructure of materials.

Для цитирования

Панкратов Е.Л. Применение пористых слоев и оптимизация отжига примеси для увеличения резкости p-n-переходов в биполярных гетеротранзисторах // Журнал радиоэлектроники. – 2011. – № 2.

Литература

  1. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons, 1983, 894p.
  2. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  3. В.И. Лачин, Н.С. Савелов.Электроника. Ростов-на-Дону:Феникс, 2001.446 с.
  4. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян. ФТП. 2002. Т.36 (5). С. 611-617.
  5. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, Письма в ЖТФ Т. 29 (19), С. 26-30 (2003).
  6. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Risnen, M. Rajatore, J. Keinonen. Phys. Rev. B. 1997. V.56, (8). P. 4597-4603.
  7. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. 2001. Т.35 (8). С. 1013-1017.
  8. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов // Известия вузов. Радиофизика. 2003. Т.43, №3. С. 836-843.
  9. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong // Appl. Phys. Lett. 2006. Т.89, №17. С. 172111-172114.
  10. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург: "Наука", 2003. 268 с.
  11. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975. 130 с.
  12. М.Г. Мынбаева, А.А. Лаврентьев, Е.Н. Мохов, К.Д. Мынбаев. Письма в ЖТФ, 34 (17), 13 (2008).
  13. E.L. Pankratov. Phys. Rev. B. 2005. V.72 (7). P. 075201-075208.
  14. E.L. Pankratov, B. Spagnolo. The Eur. Phys. J. B. 2005. V. 46 (1). P. 15-19.
  15. E.L. Pankratov. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103 (6). P. 064320-064330.
  16. E.L. Pankratov. J. Comp. Theor. Nanoscience. 2010. Vol. 7 (1). P. 289-295.
  17. E.L. Pankratov. Mod. Phys. Lett. B. In press.
  18. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
  19. M. Kitayama, T. Narushima, W.C. Carter, R.M. Cannon, A.M. Glaeser. J. Am. Ceram. Soc. 83, 2561 (2000); M. Kitayama, T. Narushima, A.M. Glaeser. J. Am. Ceram. Soc. 83, 2572 (2000).
  20. П.Г. Черемской, В.В. Слезов, В.И. Бетехтин. / Поры в твердом теле. - М.: Энергратомиздат, 1990. - 376 с.
  21. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 391 с.
  22. E.L. Pankratov. Phys. Lett. A. 2008. Vol. 372 (11). P. 1897-1903.