Отражение электромагнитной волны от периодической структуры, содержащей ферромагнитные слои
Аннотация
Проведено теоретическое исследование влияния межслоевого обменного взаимодействия ферромагнитных (ФМ) слоев через электроны проводимости проводящих прослоек на условия равновесия, отражательную способность и интегральную восприимчивость слоистой структуры ФМ - немагнитный проводник - ФМ. Получены и проанализированы частотные и полевые зависимости коэффициента отражения (КО) электромагнитных волн (ЭМВ) и интегральной восприимчивости при различном числе слоев в структуре для случаев взаимодействующих и не взаимодействующих между собой ФМ слоев. Показано, что различными значениями межслоевого обменного взаимодействия и толщины слоев можно управлять резонансным поведением КО от структуры. Вблизи ориентационного фазового перехода (ОФП) на низких частотах, а также в области магнитных резонансов в слоях рассматриваемые структуры из полностью отражающих становятся полностью не отражающими. Увеличение числа слоев при учете межслоевого взаимодействия приводит к росту количества и ширины резонансных частотных областей, в которых ЭМВ полностью поглощаются.
Для цитирования
Бутько Л.Н., Бучельников В.Д., Бычков И.В., Шавров В.Г. Отражение электромагнитной волны от периодической структуры, содержащей ферромагнитные слои // Журнал радиоэлектроники. – 2007. – № 3.
Литература
- Казанцева Н.Е., Рывкина Н.Г., Чмутин И.А. // РЭ. 2003. Т. 48, №2, С. 196.
- Антонов А.С., Панина Л.В., Сарычев А.К. // ЖТФ. 1989. Т. 59, №6, С. 88,.
- Бучельников В.Д., Бычков И.В., Шавров В.Г. // ФТТ. 1992. Т. 34, №11, С. 3408.
- Бабушкин А.В., Бучельников В.Д., Бычков И.В. // ФТТ. 2002. Т. 44, №12, С. 2183.
- Бучельников В.Д., Бабушкин А.В., Бычков И.В. // ФТТ. 2003. Т. 45, №4, С. 663.
- Хусаинов М.Г. // ЖЭТФ. 1996. Т. 109, С. 524.
- Хусаинов М.Г. // ЖЭТФ. 1996. Т. 110, С. 966.
- Дровосеков А.Б., Жотикова О.В. и др. // ЖЭТФ. 1999. Т. 119, №5, С. 1817.
- Туров Е.А., Шавров В.Г. // УФН. 1983. Т. 140, №3, С. 429.
- Сукстанский А.Л., Ямпольская Г.И. // ФТТ. 2000. Т. 42, №5, С. 866.