ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2011, № 8 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии

А.С. Ильин1, А.А. Кузьмин1, А.Г. Коваленко1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Полный текст (PDF) УДК 621.38-022.532 EDN OJKQCX

Аннотация

Исследована возможность применения нового технологического процесса изготовления микроструктур методом электронно-лучевой литографии с использованием негативного резиста, основанного на промышленном полимере полиэфирсульфоне (PES). PES является термостабильным и относительно инертным полимером, что позволяет использовать его при магнетронном распылении тугоплавких металлов, в частности титана, молибдена или ниобия, не опасаясь загрязнения образцов вследствие дегазации резиста при высокой температуре. Это свойство данного материала позволяет успешно использовать его в области сверхпроводниковой микроэлектроники, когда чистота сверхпроводника является одной из приоритетных задач технологических процессов.

  • полиэфирсульфон
  • pes
  • Poly(ether sulfone)
  • электронно-лучевая литография
  • термостабильный резист
  • технология микронных
  • субмикронных и нанометровых сверхпроводниковых структур
Abstract (in English)

The possibility of a new technological process of manufacturing of microstructures by electron-beam lithography with negative resist based on an industrial polymer poly(ether sulfone) (PES) is investigated. PES is thermostable and relatively inert polymer, which makes it suitable for magnetron sputtering of refractory metals, such as titanium, molybdenum or niobium without fear of contamination of samples by degassing of resist at high temperatures. This property of the material can be successfully used in the field of superconducting microelectronics, where the purity of a superconductor is one of the priorities of processes.

Для цитирования

Ильин А.С., Кузьмин А.А., Коваленко А.Г. Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии // Журнал радиоэлектроники. – 2011. – № 8.

Литература

  1. Rai-Choudhury P. Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication. // SPIE, Bellingham, WA, 1997,Vol. 1, p. 139.
  2. Bryce R. M., Freeman M. R., Aktary M. Poly(ether sulfone) as a negative resist for electron beam lithography. // Appl. Phys. Lett., 2007, Vol 90.
  3. Dubos P., Charlat P., Crozes Th., Paniez P. and Pannetier B. A thermostable trilayer resist for niobium lift-off. // J. Vac. Sci. Technol., 2000, B 18, 122.
  4. Кузьмин А.А. "Технология изготовления сверхпроводниковых болометров терагерцового диапазона частот", диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Москва, 2011.