Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения
Аннотация
Проанализированы результаты экспериментальных исследований воздействия радиоизлучения на современные интегральные микросхемы и электронную аппаратуру. Проведено сопоставление уровней обратимых отказов в работе микросхем с уровнями функциональных сбоев аппаратуры, которое позволяет констатировать их хорошее совпадение.
- интегральные микросхемы
- integral microchips
- обратимые отказы
- функциональные сбои
- электронная аппаратура
Abstract (in English)
Results of experimental and theoretical investigations of radio action on modern integral microchips and electronic devices are analyzed. Comparison of reversible failure levels in microchips operation with functional failure levels of equipment allows establishing their good coincidence.
Для цитирования
Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 1.
Литература
- Antinone R.J. Young P.A., Wilson D.D., and et al. Electrical overstress protection for electronic devices. - Noyes Publications, 1986. - 394 p.
- Messenger G.C., Ash M. S. The Effects of radiation on Electronic System's. - Van Nostrad, Reinhold Co. N.-Y. 1986. - 183 p.
- Риккетс Л.У., Бриджес Дж. Э., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. - М., Атомиздат, 1979. - 328 с.
- Антипин В.В., Громов Д. В., Годовицин В.А. и др. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника. - 1995. - Вып.1. - С. 37-53.
- Григорьев Е.В., Борисов А.А. Старостенко В.В., Таран Е.П. Воздействие электромагнитных полей на интегральные микросхемы. // Измерительная техника, 1998, № 4, с. 65-67.
- Грибский М.П. Физика процессов напряженных токовых и тепловых режимов микросхем при воздействии импульсных СВЧ полей: Дисc. к.ф-м.н. - Симферополь, ТНУ, 2009, - 155с.
- Магда И.И., Блудов Н.И., Гадецкий Н.П. и др. Механизм деградации ИЭТ в полях мощного СВЧ излучения. // Петерб. журнал электроники, 1995, №3, с. 55-59.
- Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с. 375-378.
- Korte S., Garbe H. Breakdown behavior of electronics at variable pulse repetition rates. // Adv. Radio Science, 2006, N 4, pp. 7-10.
- Taylor C.D., Harrison C.W. On the coupling of microwave radiation to wire structures. // IEEE Trans., 1992, vol. EMC-34, N 3, pp. 183-188.
- Дементьев Ю.В, Каплун В.Г, Кучеров Ю.С, Сытник А.Ф. Влияние длины волны внешнего СВЧ излучения на стойкость элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. // Радиотехника, 1996, №2, c.125-126.
- Amdory R.A., Puglielly V.C.G., Richardson R.E. Microwave interference effect in bipolar transistors. // IEEE Trans.,1975,vol.EMC-19, N2, pp.49-56.
- Forchier M.L., Richardson R.E. Microwave-rectification RFI response in field-effect transistors. // IEEE Trans., 1979, vol. EMC-21, N4, pp. 312-315.
- Антипин В.В.,. Годовицын В.А, Громов Д.В., Раваев А.А. Деградация малошумящих СВЧ полевых транзисторов с затвором Шотки на арсениде галлия при воздействии мощных импульсных микроволновых помех. // Радиотехника, 1994, №8, с.34-38.
- Бобрешов А.М. Усков Г.К. и др. Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках. // Известия ВУЗов. Электроника, 2006, N5, с.69-77.
- Листопад Н.И., Поборцев П.Н., Ясюля Г.И. Влияние помеховых сигналов на характеристики цифровых ИС. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1988, вып.1(125), с.130-132.
- Бригидин А.М., Титович Н.А., Кириллов В.М., Влияние электро-магнитных помех на цифровые интегральные схемы. // Эл. техника. Сер. Упр. качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1989, вып.5 (137), c. 55-57.
- Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. // Журнал радиоэлектроники, 2010, №8, с. 1-27.
- Strickland B.R., Auden N.F. Numerical analysis technique for diode-loaded dipole antennas. // IEEE Trans. EMC, 1993, v. 35, N4, p. 480-484.
- Залешин А.В., Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Работа детекторных диодов под действием коротких радиоимпульсов. // РиЭ, 2011, т. 56, № 6, с. 760-764.
- Clayborne D. Taylor, Nicolas H. Younau. Effects from high power microwave illumination. // Microwave Journal, 1988, vol.35, №6, pp.80-96.
- Бердышев А.В., Ивойлов В.Ф., Исайкин А.В. и др. Экспериментальные исследования воздействия СВЧ импульсов на содержащие интегральные микросхемы радиоэлектронные устройства. // Радиотехника, 2003, №6, c.85-88.
- Грибский М.П., Ахрамович Л.Н., Григорьев Е.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на интегральные микросхемы памяти. // Радиоэлектроника и информатика, 2006, т. 35, № 4, с. 15-17.
- Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на современные микро-контроллеры. / Прикладная радиоэлектроника, 2006, т. 5, № 2, с. 294-297.
- Hong J. I., Hwang S. M., Huh C. S. Susceptibility of Microcontroller Devices due to coupling effects under narrow-band high power electromagnetic waves by magnetron. // J. of Electromagn. Waves and Appl., 2008, v.22, p. 2451-2462.
- Цифровые интегральные микросхемы: Справочник/ П.П. Мальцев, Н.С. Долидзе, М.И. Критенко и др. - М.: Радио и связь, 1994, 240 с.
- Kim K., Iliadis A.A. Latch-up effects in CMOS inverters due to high power pulsed electromagnetic interference. // Solid-State Electronics, 2008, vol.52, pp. 1589-1593.
- Camp M., Garbe H., Nitsch D. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconducters by Impact of EMP and UWB Pulses. // IEEE Intern. Symp. on EMC, 2002, vol.1 pp.87-92.
- Camp M., Garbe H., Nitsch D. UWB and EMP Susceptibility of Modern Electronics. // IEEE International Symposium on EMC, 2001, vol.2, рр. 1015 - 1020.
- Camp M., Garbe H. Influence of Operation and Program-States on the Breakdown Effects of Electronics by Impact of EMP and UWB. // [Электронный ресурс]. URL: homepage.alice.de/camp/publikation18.pdf.
- Whalen J.J., Trout J.G., Larson C.E., Roe J.M. Computer-aided analysis of RFI effects in digital Integrated circuits. // IEEE Trans. on EC., 1979, vol.21, N4, pp.291-297.
- Tront J.G. Predicting URF upset of MOSFET digital IC's. // IEEE Trans., 1985, vol.EMC-27, N2, pp.64-69.
- Gong K., Feng H., Zhan R., Wang A.Z.H. A Study of Parasitic Effects of ESD Protection on RF ICs. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 2002, vol. 50, N.1, pp. 393-402.
- Rodgers J., Firestone T. M., Granatstein V. L., Walter M. Experimental Study of EMP Upset Mechanisms in Analog and Digital Circuits. // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ipr.umd.edu/MURI-2001/Review_8June 02/09_ Rodgers.pd.
- Rodgers J., Firestone T.M., Granatstein V.L. Diffusion Model of Nonlinear HPM Effects in Advanced Electronics. // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ipr. umd.edu /MURI-2001/FinalReview-071406/05_Rodgers.pdf.
- Garver R.V., Tatum J.T. Assessment Methodology for radio frequency effects. //IEEE National Symposium on electromagnetic compatibility, 1989, р.137-142.
- Methodology guidelines for high power microwave (HPM) susceptibility assessments. Ed. By N.J. Chesser. Report. Chairman-A.Pesta.Jan.1990г. ДСП.
- Вдовин В.А., Кулагин В.В., Черепенин В.А. Помехи и сбои при нетепловом воздействии короткого электромагнитного импульса на радиоэлектронные устройства. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2003, т. 8, №1, с. 64-73.
- Зиглин С.Л., Репецкая Л.В., Черепенин В.А. Воздействие мощных колебаний на импульсные устройства. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2008, т.13, №6, с. 16-17.
- Nilsson T., Mansson D., Backstrom M. EMI effects on some wireless systems (GPS receivers). // IEEE EMC Meeting 24-24 Aug., 2006, p.16.
- LoVetri J., Wilbers A.T.M., Zwamborn A.P.M. Microwave Interaction with a Personal Computer: Experiment and Modeling. // Proc. of the 13th Int. Zurich Symp. on EMC, Zurich, Switzerland, February 16-18, 1999, pp. 203-206.
- Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артёменко С.Н. и др. Экспериментальное исследование воздействия СВЧ импульсов на работу персонального компьютера. // РЭ, 2001, т.46, №8, с.1020-1024.
- Корнев А.Н., Сахаров К.Ю. и др. Исследование воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов на персональные компьютеры. // Технологии ЭМС.- 2006.- № 2.- С. 44-49.
- Гадецкий Н.П., Кравцов К.А., Магда И.И. Функциональные сбои персонального компьютера при воздействии электромагнитных импульсов сверхкороткой длительности. // [Электронный ресурс]. URL: http://www.modtop.ru/node/33849.