Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур

Аннотация

В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения примеси в многослойной структуре в процессе формирования транзисторных структур. Предложен способ увеличения резкости диффузионных и имплантационных p-n-переходов, входящих в состав транзисторной структуры, а также увеличения равномерности распределения примеси в обогащенной ею области. Проведена оптимизация длительности отжига, позволяющая одновременно увеличить и равномерность распределения примеси в обогащенной ею области, резкость p-n-переходов.

Для цитирования

Литература

1. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника. М.: Высшая школа, 1991. 622с.
2. A.B.Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York,John Wyley and Sons, 1983,894 p.
3. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
4. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян // ФТП. 2002. Т.36. № 5. С. 611-617.
5. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Räisänen, M. Rajatore, J. Keinonen // Phys. Rev B. 1997. V.56, №8. P. 4597-4603.
6. Е.И.Зорин, П.В.Павлов, Д.И.Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975.130 с.
7. H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation. B.G. Teubner, Stuttgart. 1978. 360 с.
8. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer // Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
9. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 391 с.
10. М.Л. Краснов, А.И. Киселев, Г.И. Макаренко. Интегральные уравнения. М.: Наука, 1976. 215 с.
11. E.L. Pankratov // Phys. Rev. B. 2005. V.72, №7. P. 075201-075208.