Моделирование теплового поражения диодных полупроводниковых структур полиимпульсным сверхвысокочастотным радиоизлучением
Аннотация
В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного излучения. Показана определяющая роль тепловой релаксации в поведении энергетических характеристик полупроводниковых структур при тепловом поражении полиимпульсным СВЧ-воздействием. Определены характерные области частотных зависимостей полученных энергомощностных характеристик.
- тепловое поражение
- Thermal failure
- численная модель
- диодная структура
- СВЧ-импульс
- полиимпульсный режим
Abstract (in English)
Within the limits of numerical model in drift-diffusion thermal approach results of microwaves multipulse mode thermal failure power and temperature characteristics simulation for silicon diode bipolar and Schottky-barrier structures are presents. Determinative function of thermal relaxation in behavior of energy semiconductor structures characteristics by multipulse microwave action thermal failure is demonstrated. Characteristic regions of power characteristic frequency dependences are determinate.
Для цитирования
Мещеряков С.А. Моделирование теплового поражения диодных полупроводниковых структур полиимпульсным сверхвысокочастотным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 7.
Литература
- Wunsh D., Bell R. Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage // IEEE Trans. 1968. V. NS-15. P.244-259.
- Taska D.M. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Trans. 1970. V. NS-17. P.364.
- Dwyer V.M., Franklin A.J., Campbell D.S. Thermal failure in semiconductor devices// Solid-State Electron. 1990. V.33. P.553-560.
- А.В. Ключник, А.В. Солодов Статистическая модель повреждения цифровых интегральных схем импульсным радиоизлучением // Радиотехника. 2010. № 2. С. 37-42.
- А.В. Ключник, Ю.А. Пирогов, А.В. Солодов Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2010. № 12. URL: http://jre.cplire.ru/jre/dec10/1/text.pdf
- С.А. Мещеряков, А.И. Прокопьев Влияние барьерных свойств низкоомной подложки на модуляцию сопротивления базы диода Шоттки // Изв. вузов. Электроника. 1998. № 2. С. 27-29.
- Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-St. Electron. 1999. V 43. N 9. P. 1747-1753.
- NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ioffe.rssi.ru\\SVA\\NSM\\Semicond\\index.html
- Дульнев Г.Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах - М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963. - 288 с.
- Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с.
- Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артеменко С.Н. и др. Экспериментальное исследование воздействия сверхвысокочастотных импульсов на работу персонального компьютера // Радиотехника и электроника. 2001. Т. 46. №8. С. 1020-1024.