ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2013, № 7 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Частотная зависимость действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости монокристалла TlInSe 2 при релаксационных процессах

С.Н. Мустафаева1

1 Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана, Азербайджан
Полный текст (PDF) EDN RDPITH

Аннотация

Диэлектрические измерения монокристалла TlInSe 2 в диапазоне частот 5 × 10 4–3.5 × 10 7 Гц позволили установить релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости, а также природу диэлектрических потерь в монокристалле. Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) в TlInSe 2 обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью. По мере роста потерь сквозной проводимости релаксационные потери играют всё меньшую роль. Экспериментально определено значение оптической диэлектрической проницаемости (ε ¢ опт = 17.9) монокристалла TlInSe 2. Рассчитаны значения статической диэлектрической проницаемости ε ¢ ст = 526.6 и инкремента диэлектрической проницаемости Dε ¢ = 508.7, а также частоты релаксации f р = 1.84 × 10 4 Гц и времени релаксации τ = 5.4 × 10 -5 с.

  • диэлектрическая проницаемость
  • частота
  • диэлектрические потери
  • проводимость
  • релаксационная поляризация
  • монокристалл TlInSe <sub>2</sub>
Abstract (in English)

Dielectric measurements of TlInSe 2 single crystal in frequency range 5 × 10 4–3.5 × 10 7 Hz allowed to establish relaxation character of dispersion of dielectric permittivity and nature of dielectric losses. The experimental frequency dependence of the dissipation factor tan d for TlInSe 2 single crystal has maximum at f = 10 5 Hz and at f > 10 5 Hz is characterized with a monotonic descending. The hyperbolic decrease of tan d with frequency is evidence of the fact, that conductivity loss becomes the main dielectric loss mechanism in the TlInSe 2 single crystal at studied frequency range. Maximum on the tan d (f) – curve points to relaxation losses in TlInSe 2. The value of optic dielectric permittivity of TlInSe 2 single crystal (e¢ opt = 17.9) has been determined from high-frequency dielectric measurements. The static dielectric permittivity (e¢ st = 526.6), the relaxation frequency (f r = 1.84 × 10 4 Hz) and relaxation time (τ = 5.4 × 10 –5 s) have been estimated for TlInSe 2 single crystal.

Для цитирования

Мустафаева С.Н. Частотная зависимость действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости монокристалла TlInSe 2 при релаксационных процессах // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 7.

Литература

  1. Мустафаева С.Н. Эффекты электрической памяти и другие свойства интеркалированных литием полупроводников АШВШС2VI // Неорганические материалы. 1994. Т. 30. №8. С.1033-1036.
  2. Mustafaeva S.N., Ramazanzade V.A., Asadov M.M. Influence of Intercalation on Electrical and Photoelectrical Properties of Ternary Chain and Layer Semiconductors // Materials Chemistry and Physics.1995.V.40.№2. P.142-145.
  3. Керимова Э.М., Мустафаева С.Н., Магеррамов А.Б. Влияние примесей Ag, Cu, Sn на электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2 // Неорганические материалы. РАН. 1997. Т. 33. № 11. С. 1325-1326.
  4. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая шк. 1986. 368 с.
  5. Физика диэлектриков. Тр. 2-ой Всесоюз. конф. / Под ред. Г.И. Сканави. М.: Из-во АН СССР (1960). 532 с.