ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2013, № 11 · ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки

С.А. Мещеряков1

1 Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации ФСТЭК России", Россия
Полный текст УДК 621.382 EDN RUGGTB

Аннотация

В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии импульсного сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Представлены энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от их конструктивно-технологических параметров.

  • тепловое поражение
  • thermal damage
  • численная модель
  • диффузия
  • дрейф
  • структура с барьером Шоттки
  • СВЧ-импульс
Abstract (in English)

Results of simulation of the physical processes in silicon Schottky-barrier structures at microwave pulse action of electromagnetic radiation are given within the limits of numerical model in drift-diffusion thermodynamic approach. Power and temperature characteristics of structures in durations wide range of the single pulse action depending on their constructive-technological parameters are presented.

Для цитирования

Мещеряков С.А. Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 11.

Литература

  1. D.C. Wunsh, R.R. Bell. Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage // IEEE Trans. 1968. V. NS-15. P. 244-259.
  2. D.M. Taska. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Trans. 1970. V. NS-17. P. 364.
  3. V.I. Arkhipov, E.R. Astvatsaturyan, V.A. Godovitsyn, A.I. Rudenko. Stationary and non-stationary spatial temperature distributions in semiconductors, caused by pulse voltage // Int. J. Electronics. 1983. V. 55. P. 395.
  4. V.M. Dwyer, A.J. Franklin, D.S. Campbell. Thermal failure in semiconductor devices // Solid-State Electron. 1990. V.33. P. 553-560.
  5. Ю.Г. Юшков, П.Ю. Чумерин, С.Н. Артеменко и др. Экспериментальное исследование воздействия сверхвысокочастотных импульсов на работу персонального компьютера // Радиотехника и электроника. 2001. Т. 46. №8. С. 1020-1024.
  6. G.K. Wachutka. Rigorous thermodynamic treatment of heat generation and conduction in semiconductor device modeling// IEEE Trans. 1990. V. CAD-9. P. 1141-1149.
  7. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken, New Jersey: Wiley-Interscience, 2007.
  8. NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ioffe.rssi.ru\\SVA\\NSM\\Semicond\\index.html
  9. С.А. Мещеряков, А.И. Прокопьев. Влияние барьерных свойств низкоомной подложки на модуляцию сопротивления базы диода Шоттки // Изв. вузов. Электроника. 1998. № 2. С. 27-29.
  10. A.I. Prokopyev, S.A. Mesheryakov. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-St. Electron. 1999. V 43. N 9. P. 1747-1753.