ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2013, № 12 · ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры

С.А. Мещеряков1

1 Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации ФСТЭК России", Россия
Полный текст УДК 621.382 EDN SBNUYN

Аннотация

В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевой биполярной полупроводниковой структуре при воздействии импульсного сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Представлены энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в широком диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от ее конструктивно-технологических параметров.

  • тепловое поражение
  • thermal damage
  • численная модель
  • диффузия
  • дрейф
  • биполярная структура
  • СВЧ-импульс
Abstract (in English)

Results of simulation of the physical processes in silicon bipolar structures at microwave pulse action of electromagnetic radiation are given within the limits of numerical model in drift-diffusion thermodynamic approach. Power and temperature characteristics of structures in durations wide range of the single pulse action depending on their constructive-technological parameters are presented.

Для цитирования

Мещеряков С.А. Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 12.

Литература

  1. С.А. Мещеряков. Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки. // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2013. № 11. URL: http://jre.cplire.ru/jre/nov13/2/text.pdf
  2. D.M. Taska. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Trans. 1970. V. NS-17. P. 364-372.
  3. V.M. Dwyer, A.J. Franklin, D.S. Campbell. Thermal failure in semiconductor devices // Solid-State Electron. 1990. V.33. P. 553-560.
  4. Ю.Г. Юшков, П.Ю. Чумерин, С.Н. Артеменко и др. Экспериментальное исследование воздействия сверхвысокочастотных импульсов на работу персонального компьютера // Радиотехника и электроника. 2001. Т. 46. №8. С. 1020-1024.
  5. A.I. Prokopyev, S.A. Mesheryakov. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-State Electron. 1999. V 43. N 9. P. 1747-1753.
  6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с.
  7. G.K. Wachutka. Rigorous thermodynamic treatment of heat generation and conduction in semiconductor device modeling// IEEE Trans. 1990. V. CAD-9. P. 1141-1149.
  8. Мещеряков С.А., Бердышев А.В. Электротепловая модель воздействия электромагнитного излучения на полупроводниковые структуры // Радиотехника и электроника. 2013. Т. 58. № 11. С. 1127-1135.
  9. NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ioffe.rssi.ru\\SVA\\NSM\\Semicond\\index.html