Механизмы воздействия электромагнитных полей на проводящие пленочные структуры микросхем

Аннотация

В работе рассмотрены и систематизированы механизмы воздействия электромагнитных полей на проводящие структуры интегральных микросхем. Выявлены особенности развития деградационных процессов в тонких пленочных структурах. Получены значения толщин проводящих пленок, при которых наблюдается процесс преобразования энергии ЭМП в акустические волны.

• проводящие пленочные структуры
• механизмы воздействия
• преобразование энергии

Abstract (in English)

The influence mechanisms of the electromagnetic fields are in-process considered and systematized on the conducting structures of integral microcircuits. The features of development of degradation processes are educed in thin film structures. The values of thicknesses of conducting films at that there is a process of transformation of energy of the electromagnetic field in acoustic waves are got.

Для цитирования

Литература

1. D.C. Wunsch, R.R. Bell. Determination Of Threshold Failure Of Semiconductor Diodes And Transistors Due To Pullse Voltages // IEEE Trans. 1968. V. NS-15. N 6. P. 244 - 259.
2. Antinone J. Electrical Overstress Protection for Electronic Devices. New York, 1986. P. 387.
3. Старостенко В.В., Таран Е.П., Григорьев Е.В., Борисов А.А. Воздействие электромагнитных полей на интегральные микросхемы // Измерительная техника. 1998. № 4. С. 65 - 67.
4. Старостенко В.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И., Зуев С.А., Ахрамович Л.Н. Влияние толщины металлизации на стойкость интегральных микросхем при воздействии электромагнитных полей // Прикладная радиоэлектроника. 2003. Т.2. № 1. С. 88 - 92.
5. Churyumov G., Starostenko V., Tereshenko V., Unzhakov D., Zuev S. Wunsch-Bell Criterial Dependence for Si and GaAs Schottky-Barrier Field - Effect Transistors // Ultra-Wideband, Short-Pulse Electromagnetics 9. Springer. 2010. P. 369 - 374.
6. Старостенко В.В., Глумова М.В., Рукавишников А.В., Таран Е.П. Динамика развития необратимых деградационных процессов в проводящих микроструктурах интегральных микросхем при воздействии импульсных электромагнитных полей // Вестник ХНУ. Радиофизика и электроника. 2002. Вып.1. № 544. С. 167-172.
7. Gribskii M.P., Akhramovich L.N., Grigor'ev E.V., Zuev S.A., Starostenko V.V., Churyumov G.I. Influence of Pulse Electromagnetic Fields on Integrated Memory Chips // Telecommunications and Radio Engineering. 2007. V. 66. N 19. P. 1799 - 1804.
8. Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В., Унжаков Д.А. Воздействие импульсных электромагнитных полей на микросхемы АЦП и ЦАП // Радиоэлектроника и информатика. 2007. T. 39. № 4. С. 24 - 26.
9. Старостенко В.В., Малишевский С.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И. Поле в ближней зоне микросхемы при воздействии на нее электромагнитной волной в волноводе // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып.1. С. 62 - 68.
10. Старостенко В.В., Таран Е.П., Малишевский С.В. Использование «сенсорных датчиков» для численного решения задачи дифракции электромагнитных полей на металлодиэлектрических неоднородностях в волноводе // Вестник ХНУ. Радиофизика и электроника. 2002. Вып.1. № 544. С.167 - 172.
11. Ye.P. Taran, V.V. Starostenko, Ye.V. Grigor'ev Effect of Heterogeneity Parameters of Conducting Microstructures of Integrated Circuits on the Wunsch-Bell Curve // Telecommunications and Radio Engineering. 2002. 57 (8-9) P. 105-112.
12. Старостенко В.В. Дифракция электромагнитных волн на модели микросхемы в волноводе // Радиоэлектроника и информатика. 2002. Вып. 21. № 4. С. 33 - 36.
13. Быков Ю.А., Карпухин С.Д., Газукина Е.И. О некоторых особенностях структуры и свойств металлических "тонких" плёнок // МиТОМ. 2000. № 6. С. 45 - 47.
14. Розенберг Г.В. Оптика тонкослойных покрытий. М.: Физматгиз. 1958. С. 570.
15. Вдовин В.А. Нанометровые металлическиепленки в датчиках мощных СВЧ импульсов // III Всероссийская конференция «Радиолокация и радиосвязь», 26-30 октября 2009 г. ИРЭ РАН. С. 832 - 835.