"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 4, 2009

оглавление              текст:   html,   pdf   


Дисперсия диэлектрических коэффициентов и

ac-проводимости монокристаллов TlGa1–хСохS2  в радиочастотном диапазоне

  С. Н. Мустафаева
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку

 Получена 27 марта 2009 г. 

                        

В слоистых монокристаллах TlGa1–хСохS2 (х = 0.005; 0.01) изучены частотные зависимости диэлектрических характеристик и ac-проводимости (sac) поперек слоев в частотном диапазоне f = 5×104¸3.4×107 Гц. Установлено, что в TlGa1–хСохS2 наряду с потерями на электропроводность имеют место также релаксационные потери. Обнаружено, что в частотной области 5×104¸2.107 Гц в монокристаллах TlGa1–хСохS2 имеет место прыжковый механизм переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность (NF) и энергетический разброс (ΔE) этих состояний, среднее время (τ) и расстояние (R) прыжков. Изучено влияние состава кристаллов TlGa1–хСохS2 на их диэлектрические коэффициенты. Установлено, что с ростом содержания кобальта в кристаллах NF и ΔE возрастают, а τ  и R уменьшаются.
 

Ключевые слова: электродинамика конденсированных сред, слоистые монокристаллы.

   xxx