УДК 538.958, 546.03
ДИАГНОСТИКА КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК n-InxGa1-xAs МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
Л. П. Авакянц1, Т. П. Колмакова2
1
физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра общей физики
2 ОАО
«Оптрон», Москва
Получена 24 января 2010 г.
Аннотация. Исследованы особенности спектров комбинационного
рассеяния света в тройных соединениях n-In0.1Ga0.9As, при n=1017 - 5.1018 см-3. Показано, что поведение высокочастотной моды L+ может быть описано в рамках модели связанных фонон-плазмоных
мод в приближении Друде. На основе предложенной теории и экспериментальных
данных проведена оценка концентрации свободных носителей.
Ключевые слова: комбинационное рассеяние, полупроводники, связанные фонон-плазмон моды.