УДК
621.382
ОБ ОЦЕНКЕ МОЩНОСТИ
ТЕПЛОВОГО ПОРАЖЕНИЯ ДИОДНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ИМПУЛЬСНЫМ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
С. А. Мещеряков
Федеральное автономное
учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный
институт
проблем технической защиты информации ФСТЭК России"
Статья получена 9 июня 2014 г.
Аннотация.
В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении
приведены результаты расчета энергомощностных характеристик для p
– n-переходной структуры и
структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного
излучения. Показано различие в оценке мощности теплового поражения по двум критериям:
падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности. Проведено
сравнение энергомощностных характеристик теплового поражения диодных структур
для сверхвысокочастотного и прямоугольных импульсов в диапазоне температур
теплового разогрева 400...1400 °С.
Ключевые слова:
численная модель, полупроводниковая структура, импульсное излучение, мощность
теплового поражения.
Abstract:
Within the limits of numerical model in drift-diffusion
thermal approach of calculation of power characteristics
for p-n-structure and structure with a Schottky barrier are given at
action of a pulsing electromagnetic radiation are given. Distinction is shown
in an estimate of thermal defeat power by two criterions – incident exterior
power and diffused interior power. Characteristics
of thermal burnout of the diode-structures for microwave and square pulses in a
gamut of temperatures of a thermal heating 400 ... 1400 °С
is compare.
Key words:
numerical model, semiconductor structure, pulse
radiation, power of thermal burnout.