РАСЧЕТ ЭВОЛЮЦИИ
КЛАСТЕРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С УЧЕТОМ ДИФФУЗИИ И НЕКОТОРЫХ ВТОРИЧНЫХ ПРОЦЕССОВ
Е.Л. Панкратов
Институт физики
микроструктур РАН,
Нижний Новгород
Получена 26 мая 2007 г.
В настоящей работе проведен анализ эволюции
концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена
приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых
вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий).
Расчеты произведены с учетом дискретного во времени и пространстве попадания
ионов на поверхность образца. На примере облучения кремния ионами неона
рассчитаны зависимости концентрации дефектов от глубины при различных дозах
(временах облучения) и зависимость дозы аморфизации от плотности ионного тока.