Определение (C-V) и Y-параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом при различных условиях окружающей среды. Аннотация.

The C-V characteristics of n-channel JFET have been measured as a function of temperature up to 140 ⁰C and γ- rays up to 100 kGy. The results show that the input capacitance C_iss is an increasing function of temperature when measured at small bias voltage and low frequency bands. On the other hand, C_iss was shown to decrease from 11.68 down to 8.17 nF due to γ- exposure up to 100 kGy. In addition, the physical parameters of the gate-source junction were investigated, where their values were to shown to be funcion of both temperature increasing and γ- exposure. The values of the Y- parameters of common-source amplifier were calculated under influence of temperature and γ- rays. The result shows that, the susceptance component of the admittance increases due to temperature increasing, while decreasing after γ- exposure. The investigation was extended to include the temperature and radiation effects on the cutoff frequency f_T0 . It is clear from calculations that, as the temperature increases from 30⁰C up to 140⁰C, f_T0 dropped from 47 MHz down to 5 MHz, at 0.8 Volt. On the other hand its value was shown to increase from 43 MHz up to 102 MHz, at 0.8 Volt, due to γ- exposure up to 100 kGy.

Keywords: JFET, input capacitance, Y-parameters quality factor, dissiption factor, phase angle, impedance, cutoff frequency.

Были измерены вольтамперные характеристики n-канального полевого транзистора как функции температуры до 140 градусов и гамма-облучения до 100 kGy. Резуьтаты показывают, что входная емкость растет с температурой при измерении с малым напряжением смещения и в низкой полосе частот. С другой стороны, показано, что Ciss уменьнается от 11.68 до 8.17 nF при гамма-облучении до 100 kGy. Также были исследованы физические характеристики перехода затвор-исток, которые оказались зависящими от повышения температуры и от гамма-облучения. Были рассчитаны зависимости значений Y-параметров усилителя с общим истоком от температуры и гамма-облучения. Оказалось, что реактивная часть адмитанса увеличивается при увеличении температуры и уменьшается при гамма-облучении. Было также исследовано влияние температуры и радиации на частоту отсечки fT0. Из вычислений следует, что при росте температуры от 300C до 1400C fT0 падает с 47 MHz до 5 MHz при 0.8 V. С другой стороны, ее значение увеличивается с 43 MHz до 102 MHz при 0.8 V благодаря гамма-облучению до 100 kGy.