УДК 621.382.2

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДА ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ Ti/4H-SiC

П. В. Панченко, А. А. Малаханов, С. Б. Рыбалка, А. В. Радьков

Брянский государственный технический университет

Статья поступила в редакцию 20 июля 2016 г.

Аннотация. Проведено моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Полученные вольт-амперные характеристики проанализированы и сравнены с теоретическими и экспериментальными данными. Установлено, что рассчитанные параметры диода Шоттки (прямой ток, коэффициент идеальности, высота барьера Шоттки, пробивное напряжение) предсказываются предложенной моделью с хорошим приближением.

Ключевые слова: диод Шоттки, карбид кремния, моделирование, теория термоэлектронная эмиссия.

Abstract. The simulation of 4H-SiC Schottky diode with Ti Schottky contact has been carried out with used of TCAD program. Obtained current-voltage characteristics has been analyzed and compared with theoretical and experimental results. It is established that the Schottky diode parameters (forward current, ideality coefficient, Schottky barrier height, breakdown voltage) predicts proposed with good approximation.

Key words: Schottky diode, silicon carbide, simulation, thermionic theory.