ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. eISSN 1684-1719. 2026. №8

Оглавление выпуска

Текст статьи (pdf)

English page

 

 

DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2026.8.10  

УДК: 539.23

 

 

РАЗРАБОТКА МОДИФИКАЦИЙ МЕМРИСТОРА
СО ВСПОМОГАТЕЛЬНЫМ ЭЛЕКТРОДОМ

 

А.Е. Уразбеков, П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров

 

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники,
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40

 

Статья поступила в редакцию 1 июля 2026 г.

 

Аннотация. В настоящей статье представлена разработка модификаций мемристора со вспомогательным электродом и верификация предлагаемого технического решения, отличающегося принципиально новой конструкцией. Образцы представляли собой многослойные мемристивные структуры с алюминиевыми электродами и активным слоем, полученным магнетронным распылением гафниевых и танталовых мишеней. Вспомогательный электрод формировался с применением комплекса на базе автоэмиссионного растрового электронного микроскопа серии Zeiss Supra 55 с блоком для электронно-лучевого экспонирования Raith 150. Показано, что предложенное конструктивное решение позволяет повысить отношение резистивных состояний более чем в два раза при одних и тех же условиях формирования активного слоя мемристора, а также уменьшить разброс его рабочих напряжений.

Ключевые слова: мемристор, оксид гафния, оксид тантала, резистивный эффект.

Финансирование: Работа была выполнена командой научной лаборатории интегральной оптики и радиофотоники при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках проекта FEWM 2024-0004.

Автор для переписки: Уразбеков Артур Еркынович, artur.urazbekov@tusur.ru

Литература

1. Исаев А. Г., Пермякова О. О., Рогожин А. Е. Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры //Микроэлектроника. – 2023. – Т. 52. – №. 2. – С. 127-151.

2. Laurenti M. et al. Zinc oxide thin films for memristive devices: a review //Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. – 2017. – Т. 42. – №. 2. – С. 153-172.

3. Zhuo V. Y., Chen Z., Chui K. J. Resistive Random Access Memory Device Physics and Array Architectures //Emerging Non-volatile Memory Technologies: Physics, Engineering, and Applications. – Singapore : Springer Singapore, 2021. – С. 319-343.

4. Feng P. A. N. et al. Nonvolatile resistive switching memories-characteristics, mechanisms and challenges //Progress in Natural Science: Materials International. – 2010. – Т. 20. – С. 1-15.

5. Lee J. et al. Improved resistive switching characteristics of Au/TiO2/Au memristors on PDMS substrates with pyramid arrays //Materials Science and Engineering: B. – 2025. – Т. 314. – С. 117986.

6. Ghenzi N., Acha C. Exploring the synaptic response of reactive Mn electrodes based TiO2 resistive switches //Solid-State Electronics. – 2025. – Т. 223. – С. 109033.

7. Hernández-Rodríguez E. et al. Effect of electrode type in the resistive switching behaviour of TiO2 thin films //Journal of Physics D: Applied Physics. – 2013. – Т. 46. – №. 4. – С. 045103.

8. Hasina D. et al. Surfing the Growth Parameters in the Quest for Low‐Power, Forming‐Free, and Highly Stable TiOx Memristors for Nanoscale Electronics //Small. – 2025. – Т. 21. – №. 7. – С. 2408369

9. Yeon H. et al. Alloying conducting channels for reliable neuromorphic computing //Nature Nanotechnology. – 2020. – Т. 15. – №. 7. – С. 574-579.

10. Уразбеков А. Е. и др. Новый способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron на примере тонкопленочной структуры на основе оксида титана //Письма в ЖТФ. – 2025. – Т. 51. – №. 12.

Для цитирования:

Уразбеков А.Е., Троян П.Е., Сахаров Ю.В. Разработка модификаций мемристора со вспомогательным электродом. // Журнал радиоэлектроники. – 2026. – №. 8. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2026.8.10