ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ISSN 1684-1719. 2021. №12
Оглавление выпуска

Текст статьи (pdf)

English page

 

DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2021.12.4  

УДК: 621.382

 

AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры

с донорной AlAs нановставкой

 

М. М. Абдулов 1, А. С. Вергаскина 2, А. В. Лобанова 1,2
Е. С. Пирожкова 2, А. А. Веденеев 1,2

 

1 АО «НПП «Исток» им. Шокина», 141190, г. Фрязино, ул. Вокзальная, д. 2А

2 РТУ МИРЭА филиал в г. Фрязино, 141190, г. Фрязино ул. Вокзальная, д. 2А

 

Статья поступила в редакцию 10 декабря 2021 г.

 

Аннотация. В работе рассматривается способ улучшения планарной однородности слоевого сопротивления AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры путем формирования донорной вставки AlAs толщиной 5 нм в барьерном слое. Структуры выращиваются методом МОС-гидридной эпитаксии на полуизолирующей GaAs(001) подложке диаметром 76.2 мм. Установлено, что гетероструктурам с AlAs нановстакой стабильно соответствует среднеквадратическое отклонение слоевого сопротивления по пластине менее 1%. Структуры удовлетворяют всем действующим техническим требованиям, в том числе, требованиям к плотности светорассеивающих дефектов поверхности. Посредством атомно-силовой микроскопии установлено, что поверхности структур имеют близкую к идеальной террасированную морфологию.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, pHEMT-структура, слоевое сопротивление, двумерный электронный газ, подвижность электронов, концентрация электронов, эффект Холла, атомно-силовая микроскопия.

Abstract. In the present paper we study a method to improve planar uniformity of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures sheet resistance by means of introducing of 5 nm thick AlAs donor insertion into the barrier layer. The structures are grown by MOCVD at 76.2 mm GaAs(001) semi-isolating wafers. It has been found out that such structures stably have sheet resistance square root deviation lower than 1%. All the structures have passed technical control by the haze. The atomic-force microscopy studies show nearly ideal terraced morphology of the structures surfaces.

Key words: MOCVD, pHEMT-structure, sheet resistance, two-dimensional electron gas, electron mobility, electron concentration, Hall effect, atomic-force microscopy.

Литература

1. He Z., Wang H., Wang Q., Fan J., Zou Y., Ma X. The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD. Optical Materials. 2020. V.108. P.110227. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2020.110227

2. Vinichenko A.N., Vasil’evskii I.S. Pseudomorphic HEMT quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs with AlAs:delta-Si donor layer. Material Science and Engineering. 2016. V.151. №1. P.012037. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/151/1/012037

3. Castillo-Ojedaa R.S., Díaz-Reyesb J., Arellanoc M.G., Peralta-Clarab M.C., Veloz-Rendónb S.J. Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD. Materials Research. 2017. V.20. №5 P.1166-1173. https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2016-0512

Для цитирования:

Абдулов М.М., Вергаскина А.С., Лобанова А.В., Пирожкова Е.С., Веденеев А.А. AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структуры с донорной AlAs нановставкой. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2021. №12. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2021.12.4