ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. eISSN 1684-1719. 2023. №12
Оглавление выпускаТекст статьи (pdf)
DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.12.8
УДК: 539.23
Особенности применения составной
двухкомпонентной мишени с медными включениями
при магнетронном распылении
для создания мемристоров
А.Е. Уразбеков, П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
Статья поступила в редакцию 23 октября 2023 г.
Аннотация. Представлены результаты получения резистивных элементов памяти и исследование их свойств. Образцы представляли собой структуры металл/диэлектрик/металл, активный слой которого был получен магнетронным распылением составной титаново-медной мишени. Электронно-микроскопический анализ показал, что активный слой после перехода в низкоомное состояние имеет вертикально ориентированную морфологию, указывающий на филаментарный механизм переключения. Изучены вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения. Обнаружено, что предложенных способ получения диэлектрического слоя является подходящим для изготовления мемристоров. В частности, продемонстрировано, что применение данных пленок в структуре мемристивного элемента памяти позволяет получить отношение состояния с высоким электрическим сопротивлением к состоянию с низким электрическим сопротивлением более чем 102.
Ключевые слова: резистивное переключение, магнетронная технология, оксид меди, оксид титана, тонкие пленки.
Финансирование: Исследование проведено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках программы “Приоритет 2030”. Работа выполнена в рамках соглашения №075-03-2020-237/1 от 05 марта 2020 г.
Автор для переписки: Уразбеков Артур Еркынович, artur.urazbekov@mail.ru
Литература
1. Strukov D.B. et al. The missing memristor found //nature. – 2008. – Т. 453. – №. 7191. – С. 80-83.
2. Yang J.J., Strukov D. B., Stewart D. R. Memristive devices for computing // Nature nanotech-nology. – 2013. – Т. 8. – №. 1. – С. 13-24.
3. Yang R. Review of resistive switching mechanisms for memristive neuromorphic devices // Chinese Physics B. – 2020. – Т. 29. – №. 9. – С. 097305.
4. Matsukatova A.N. et al. Memristors based on poly (p-xylylene) with embedded silver nanoparticles //Technical Physics Letters. – 2020. – Т. 46. – С. 73-76.
5. Privezentsev V.V. et al. Study of Memristors Based on Silicon-Oxide Films Implanted with Zinc //Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2022. – Т. 16. – №. 3. – С. 402-407.
6. Li W. et al. Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films //Applied Physics Letters. – 2016. – Т. 108. – №. 15.
7. Ismail M. et al. Enhancement of resistive switching performance by introducing a thin non-stoichiometric CeO2-x switching layer in TiO2-based resistive random access memory //Applied Physics Letters. – 2019. – Т. 114. – №. 1.
8. Miao F. et al. Anatomy of a nanoscale conduction channel reveals the mechanism of a high‐performance memristor //Advanced materials. – 2011. – Т. 23. – №. 47. – С. 5633-5640.
9. Stewart D.R. et al. Molecule-independent electrical switching in Pt/organic monolayer/Ti devices // Nano Letters. – 2004. – Т. 4. – №. 1. – С. 133-136.
10. Chua L. Memristor-the missing circuit element // IEEE Transactions on circuit theory. – 1971. – Т. 18. – №. 5. – С. 507-519.
11. Троян П.Е., Свириденко М.А. Влияние соотношения микрорельефа электрода и толщины диэлектрического слоя на электрическую прочность и напряженность формовки тонкопленочных структур металл-диэлектрик-металл // Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. – 2023. – Т. 15. – №. 2. – С. 22-28.
Для цитирования:
Уразбеков А.Е., Троян П.Е., Сахаров Ю.В. Особенности применения составной двухкомпонентной мишени с медными включениями при магнетронном распылении для создания мемристоров. // Журнал радиоэлектроники. – 2023. – №. 12. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.12.8