Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур

Е.Л. Панкратов
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

Получена 9 января 2008 г.

В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения примеси в многослойной структуре в процессе формирования транзисторных структур. Предложен способ увеличения резкости диффузионных и имплантационных p-n-переходов, входящих в состав транзисторной структуры, а также увеличения равномерности распределения примеси в обогащенной ею области. Проведена оптимизация длительности отжига, позволяющая одновременно увеличить и равномерность распределения примеси в обогащенной ею области, резкость p-n-переходов.