О способе увеличения степени интеграции элементов в схеме приемного компаратора

 

Е. Л. Панкратов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина 23

 Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина 24

 

Статья поступила в редакцию 15 января 2019 г.

 

Аннотация. В данной работе рассматривается способ увеличения степени интеграции элементов в схеме приемного компаратора. В рамках данного метода необходимо формирование гетероструктуры специальной конфигурации, легировать необходимые участки данной гетероструктуры с помощью диффузии или ионной имплантации и оптимизировать отжиг примеси и/или радиационных дефектов.

Ключевые слова: приемный компаратор; увеличение плотности элементов компаратора; оптимизация технологического процесса.

Abstract. In this paper we introduce a model of dopant redistribution in a multilayer structure during manufacturing a detection comparator with account nonlinearity of the redistribution, time dependence of parameters (through their temperature dependence) and radiation defects (for ion type of doping). We also introduce an approach to analyze the approach based on solving of appropriate differential equations. Based on the solution we introduce an approach to increase integration rate of elements of an detection comparator. Framework the approach we consider a heterostructure with special configuration. Several specific areas of the heterostructure should be doped by diffusion or ion implantation. Annealing of dopant and/or radiation defects should be optimized.

Keywords: detection comparator, increasing of integration rate, optimization of technological process.

 

Для цитирования:

Е. Л. Панкратов. О способе увеличения степени интеграции элементов в схеме приемного компаратора. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2019. №1. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/jan19/9/text.pdf

DOI 10.30898/1684-1719.2019.1.9