Уменьшение глубины залегания элементов системы имплантационных p-n-переходов и увеличение степени интеграции их системы оптимизацией неоднородности и отжига легируемой структуры 

Е.Л. Панкратов,
Нижегородский архитектурно-строительный университет

Получена 15 мая 2010 г.

 

Аннотация. Ранее было показано, что выбором параметров многослойной структуры, а также оптимизацией длительности отжига можно уменьшить глубину залегания одиночных диффузионных и имплантационных p-n-переходов, сформированных в такой структуре, по сравнению с p-n-переходами, сформированных в однородных образцах. Аналогично можно увеличить степень интеграции p-n-переходов, являющихся элементами интегральных схем. Данная работа посвящена анализу перераспределения примеси в процессе формирования систем имплантационных p-n-переходов (биполярных транзисторов и тиристоров) в многослойных структурах с целью поиска условий, при которых происходит одновременное (в течении одного технологического этапа) уменьшение пространственных размеров p-n-переходов (как глубины залегания, так и степени интеграции p-n-переходов, являющихся элементами интегральных схем).

 

Ключевые слова: уменьшение глубины залегания имплантационных p-n-переходов, увеличение степени интеграции системы имплантационных p-n-переходов, оптимизация отжига.