ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ISSN 1684-1719. 2023. №3
Оглавление выпуска

Текст статьи (pdf)

English page

 

DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.3.2  

УДК: 538.913

 

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Au-GaAs

ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ ИСПАРЕНИИ ЗОЛОТА В ВАКУУМЕ

 

Т.А. Брянцева1, Ю.В. Гуляев2, В.Е. Любченко1, И.А. Марков1, Ю.А. Тен1

 

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Фрязинский филиал

141190, Фрязино, пл. Введенского, 1

2 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

125009, Москва, ул. Моховая 11, корп.7

 

Статья поступила в редакцию 16 января 2023 г.

 

Аннотация. В настоящей работе исследована зависимость процесса формирования границы раздела металл-полупроводник от способа подготовки поверхности арсенида галлия перед осаждением пленки золота методом термического испарения в вакууме. Показано, что по сравнению с известной методикой финишной отмывки, основанной на использовании деионизованной воды, использование специально подготовленной безреагентно модифицированной воды (БМВ) позволяет существенно улучшить качество контактов Au-GaAs. Результат достигается за счет выпадения из водного раствора (БМВ) элементов слоя природного оксида GaAs на поверхность полупроводника с образованием нового свободного от оксидов нанослоя арсенида галлия. Обработка в деионизованной воде сдвигает реакцию к формированию на поверхности слоя Ga2O3.

Ключевые слова: безреагентно модифицированная вода, арсенид галлия, оксиды, выпрямляющие и невыпрямляющие контакты.

Финансирование: Работа выполнена в рамках госзадания ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН №122041900056-0.

Автор для переписки: Марков Игорь Александрович, iam176@fireras.su

 

Литература

1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. Москва, Высшая школа. 1987. 375 с.

2. Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И. Физико-технологические основы макро-, микро- и нано-электроники. Москва, Физматлит. 2011. 784 с.

3. Брянцева Т.А., Дворянкина Г.Г., Лебедева З.М., Петров А.Г., Соколова Е.Б., Юневич Е.О. Взаимодействие золота с приповерхностным слоем арсенида галлия. Неорганические материалы. 1986. Т.22. №9. С.1421-1424.

4. Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.Е., Марков И.А., Тен Ю.А. Влияние финишной обработки поверхности GaAs на свойства границ раздела Au–GaAs. Радиотехника и электроника. 2021. Т.66. №11. С.1-8. https://doi.org/10.1134/s1064226921110012

5. Патент РФ №2476383. Еремин С.М., Марков И.А., Тен Ю.А. Способ активации воды. Дата заявки: 16.06.2008. Дата публикации: 27.02.2013. 13 с.

6. Gulyaev Yu.V., Markov I.A., Ten Yu.A. Reagentless Modified Water and its Biological Activity. Physics of Wave Phenomena. 2020. V.28. №2. P.98-102. https://doi.org/10.3103/S1541308X20020065

7. Гуляев Ю.В., Еремин С.М., Марков И.А., и др. Физико-химические свойства безреагентно-модифицированной воды и ее биологическая активность. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2005. №5.

Для цитирования:

Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.А., Марков И.А., Тен Ю.А. Особенности формирования границы раздела Au-GaAs при термическом испарении золота в вакууме. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2023. №3. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.3.2