Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей

 

Е. Л. Панкратов¹, Е. А. Булаева^1,2

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

²Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет

 

Статья поступила в редакцию 16 апреля 2016 г.

 

Аннотация. В данной работе рассматривается влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения концентраций примесей в ней. Определяются условия увеличения резкости формируемых в данном технологическом процессе p-n-переходов (одиночных и в составе биполярных транзисторов). Одновременно исследуется влияние скорости заращивания областей и механических напряжений в рассматриваемой гетероструктуре на распределения концентраций примесей в ней.

Ключевые слова: p-n-гетеропереходы; механические напряжения; заращивание.

Abstract. In this paper we consider the influence of overgrowth of doped by diffusion and ion implantation areas of heterostructures on distributions of concentrations of dopants. Several conditions to increase sharpness of p-n-junctions (single and framework bipolar transistors), which were manufactured during considered technological process, have been determined. At the same time we analyzed influence of speed of overgrowth of doped areas and mechanical stress in the considered heterostructure on distribution of concentrations of dopants in the structure.

Keywords: p-n-heterojunctions; mechanical stress; overgrowth.