УДК 621.38-022.532

ПРИМЕНЕНИЕ ПЛАЗМОСТОЙКОГО НЕГАТИВНОГО ЭЛЕКТРОННОГО РЕЗИСТА ИЗ ПОЛИЭФИРСУЛЬФОНА ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ К ПРИМЕСЯМ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

 

А. С. Ильин, И. А. Кон, А. Г. Коваленко

Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН

Статья получена 20 ноября 2014 г.

 

Аннотация: Для изготовления сверхпроводниковых микроструктур из титана методами электронно-лучевой литографии исследовано применение негативного плазмостойкого резиста на базе полиэфирсульфона. Резистные маски из полиэфирсульфона обладают высокой химической, термической и механической стойкостью. Это позволило избежать негативных последствий дегазации резиста и его задубливания и получить титановые микроструктуры, обладающие высокой чистотой, для их применения в сенсорах на краю сверхпроводникового перехода. Негативность резиста позволяет уменьшить время экспозиции и снизить риски, связанные с термодрейфом держателя образцов.

Ключевые слова: полиэфирсульфон, электронно-лучевая литография, негативный резист, дегазация, титан, сверхпроводниковые микроструктуры.

Abstract: Use of negative plasma-stable resist based on poly(ether sulfone) for superconducting titanium microstructures fabrication using electron-beam lithography methods is investigated. Poly(ether sulphone) resist masks show high chemical, thermal and mechanical stability. This allows to avoid negative effects of resist outgassing and hardening, and fabricate titanium microstructures of high purity for their use in transition edge sensors. Resist’s negativity allows to decrease duration of exposure and to reduce risk related to thermal drift of specimen holder.

Keywords: poly(ether sulfone), electron-beam lithography, negative resist, outgassing, titanium, superconducting microstructures.