Дисперсия диэлектрических
коэффициентов и
ac-проводимости монокристаллов TlGa1–хСохS2 в радиочастотном диапазоне
С.
Н. Мустафаева
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку
Получена 27 марта 2009
г.
В слоистых
монокристаллах TlGa1–хСохS2 (х = 0.005; 0.01) изучены частотные зависимости
диэлектрических характеристик и ac-проводимости
(sac)
поперек слоев в частотном диапазоне f = 5×104¸3.4×107 Гц. Установлено, что в TlGa1–хСохS2
наряду с потерями на электропроводность имеют место также релаксационные
потери. Обнаружено, что в частотной области 5×104¸2.107
Гц в монокристаллах TlGa1–хСохS2 имеет место прыжковый механизм переноса заряда
по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность (NF) и энергетический разброс (ΔE) этих состояний, среднее время (τ) и расстояние (R) прыжков. Изучено влияние состава кристаллов TlGa1–хСохS2
на их диэлектрические коэффициенты. Установлено, что с ростом содержания
кобальта в кристаллах NF и ΔE возрастают, а τ и R уменьшаются.
Ключевые слова:
электродинамика конденсированных сред, слоистые монокристаллы.
|