Диэлектрические свойства
монокристаллов
TlGa1–xFexSe2 в переменных электрических полях
С. Н. Мустафаева
Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана
Получена 28 апреля 2008 г.
Изучено влияние частичного замещения галлия железом в слоистых
монокристаллах TlGaSe2 на
диэлектрические свойства полученных кристаллов в переменных электрических
полях. Исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tgd),
диэлектрической проницаемости (e)
и ac-проводимости вдоль С-оси кристаллов в
частотном диапазоне 5×104¸3.5×107 Hz.
Установлено, что в переменных электрических полях в монокристаллах TlGa1–xFexSe2 (x =
0; 0.001; 0.005 и 0.01) имеет место прыжковая
проводимость sac ~ f 0.8 по локализованным вблизи уровня Ферми
состояниям. Установлено, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах TlGa1–xFexSe2 граничная
частота, при которой имел место f 0.8 – закон для проводимости, смещалась в сторону
более низких частот. При высоких частотах в монокристаллах TlGa1–xFexSe2 на зависимости sac(f) наблюдается суперлинейный участок fn,
где n=1.1¸2.0.
Оценены плотность локализованных состояний, ответственных за ac-проводимость, среднее время и расстояние прыжков, разброс
ловушечных состояний вблизи уровня Ферми в монокристаллах TlGa1–xFexSe2 различного состава. Показано, что по мере увеличения
содержания железа в кристаллах удельное сопротивление их уменьшается, среднее
время и расстояние прыжков увеличиваются, а частота, при которой начинают
проявляться релаксационные потери, смещается в сторону низких частот.
|