УДК
621.382
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВОГО
ПОРАЖЕНИЯ ДИОДНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
ПОЛИИМПУЛЬСНЫМ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫМ РАДИОИЗЛУЧЕНИЕМ
С.
А. Мещеряков
Федеральное автономное
учреждение "Государственный научно-исследовательский
испытательный институт проблем технической защиты информации ФСТЭК России"
Получена 2 апреля 2013 г., после
доработки - 3 июля 2013г.
Аннотация. В рамках численной
модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты
моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных
биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии
последовательности импульсов сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного
излучения. Показана определяющая роль тепловой релаксации в поведении
энергетических характеристик полупроводниковых структур при тепловом поражении
полиимпульсным СВЧ-воздействием. Определены характерные области частотных зависимостей
полученных энергомощностных характеристик.
Ключевые слова: численная
модель, диодная структура, СВЧ-импульс, полиимпульсный режим, тепловое
поражение.
Abstract:
Within the limits of numerical model in drift-diffusion thermal approach results
of microwaves multipulse mode thermal failure power and temperature
characteristics simulation for silicon diode bipolar and Schottky-barrier structures
are presents. Determinative
function of thermal relaxation in behavior of energy semiconductor structures
characteristics by multipulse microwave action thermal failure is demonstrated.
Characteristic regions
of power characteristic frequency dependences are determinate.
Key words:
numerical model, diode structure, microwave pulse, multipulse mode, thermal
failure.