УДК
621.382
МОДЕЛИРОВАНИЕ
ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ
МОЩНОГО СВЧ-ИМПУЛЬСА. СТРУКТУРЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
С. А.
Мещеряков
Федеральное автономное
учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт
проблем технической защиты информации ФСТЭК России"
Получена 12
ноября
2013 г.
Аннотация.
В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении
приведены результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых
структурах с барьером Шоттки при воздействии импульсного сверхвысокочастотного электромагнитного
излучения. Представлены энергомощностные и температурные характеристики структур
в широком диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в
зависимости от их конструктивно-технологических параметров.
Ключевые слова:
численная модель, диффузия, дрейф, структура с барьером Шоттки, СВЧ-импульс,
тепловое поражение.
Abstract.
Results of simulation of the physical processes in silicon Schottky-barrier
structures at microwave pulse action of electromagnetic radiation are given
within the limits of numerical model in drift-diffusion thermodynamic approach.
Power and temperature characteristics of structures in durations wide range of
the single pulse action depending on their constructive-technological
parameters are presented.
Key words:
numerical model, diffusion, drift, Schottky-barrier structure, microwave pulse,
thermal damage.