ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2015, № 1 · ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне Ферми двумерной электронной системы

И.Н. Котельников1,2, С.Е. Дижур1, Н.А. Мордовец1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2 International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland, Польша
Полный текст УДК 537.9, 538.91, 538.915 EDN TOPNYJ

Аннотация

Исследовались туннельные структуры Al/дельта-GaAs с сильным беспорядком в двумерной электронной системe дельта-слоя. В некоторых структурах за счет диамагнитного сдвига уровней удалось добиться изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Показано, что в последнем случае это может приводить к немонотонной зависимости туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля.

  • туннельная спектроскопия
  • двумерные электронные системы
  • туннельная плотность состояний
Abstract (in English)

We investigated the tunneling structure Al/δ-GaAs with a strong disorder in two-dimensional electron system of the δ-layer. In some structures due to the diamagnetic shift of the levels we archived changing of the shape of the phonon lines and conditions close to the resonant polaron state. It is shown that in the latter case, this can lead to a nonmonotonic dependence of the tunneling density of states at the Fermi level on the magnetic field.

Для цитирования

Котельников И.Н., Дижур С.Е., Мордовец Н.А. Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне Ферми двумерной электронной системы // Журнал радиоэлектроники. – 2015. – № 1.

Литература

  1. B.I. Altshuler, A.G. Aronov, in “Electron-electron interaction in disordered systems”, edited by A.L. Efros and M. Pollak, Elsevier, Amsterdam (1985), Ch. 1.
  2. E.V. Sukhorukov, A.V. Khaetskii, Anisotropy of zero-bias diffusive anomalies for different orientations of an external magnetic field. // Phys.Rev.B, 1997, V.56, N.3, P.1456-1460.
  3. G.M. Minkov, A.V. Germanenko, S.A. Negachev et al, Magnetic-field-dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb oxide-n-InAs structures:Coexistence of two- and three-dimensional states, //Phys.Rev.B, 1999, V.59, N.20, P.13139-13146.
  4. И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, Е.Н. Морозова и др., Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком //ПЖЭТФ, 2012, Т.96, №9, С. 646-650.
  5. И.Н. Котельников В.А. Кокин, Ю.В. Федоров и др., Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/delta-GaAs // ПЖЭТФ, 2000, Т. 71, № 9, С. 564-569.
  6. С.Е. Дижур, И.Н. Котельников, Е.М. Дижур, Отражение электронов при туннелировании и межподзонный резонансный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs // Радиотехника и электроника, 2006, Т. 51, №5, С. 625-632.
  7. G. D. Mahan, Many-particle physics (New York: Kluwer) Ch.7, Sec.7.3, 2000.
  8. A.S. Alexandrov and J.T. Devreese, Advance in Polaron Physics,//Springer Series in Solid-State Sciences, Vol.159 (Springer-Verlag, Heidelberg, 2010).