Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2015, № 1 · PHYSICAL PROBLEMS OF ELECTRONICS

Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне Ферми двумерной электронной системы

I.N. Kotelnikov1,2, S.E. Dizhur1, N.A. Mordovets1

1 Kotelnikov IRE RAS, Moscow, Russia
2 International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland, Poland
Full text UDC 537.9, 538.91, 538.915 EDN TOPNYJ

Abstract

We investigated the tunneling structure Al/δ-GaAs with a strong disorder in two-dimensional electron system of the δ-layer. In some structures due to the diamagnetic shift of the levels we archived changing of the shape of the phonon lines and conditions close to the resonant polaron state. It is shown that in the latter case, this can lead to a nonmonotonic dependence of the tunneling density of states at the Fermi level on the magnetic field.

  • tunneling spectroscopy
  • Two-dimensional electron systems
  • Tunneling density of states
Аннотация (на русском)

Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне Ферми двумерной электронной системы

Исследовались туннельные структуры Al/дельта-GaAs с сильным беспорядком в двумерной электронной системe дельта-слоя. В некоторых структурах за счет диамагнитного сдвига уровней удалось добиться изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Показано, что в последнем случае это может приводить к немонотонной зависимости туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля.

For citation

Kotelnikov I.N., Dizhur S.E., Mordovets N.A. Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне Ферми двумерной электронной системы // Journal of Radio Electronics. – 2015. – No. 1.

References

  1. B.I. Altshuler, A.G. Aronov, in “Electron-electron interaction in disordered systems”, edited by A.L. Efros and M. Pollak, Elsevier, Amsterdam (1985), Ch. 1.
  2. E.V. Sukhorukov, A.V. Khaetskii, Anisotropy of zero-bias diffusive anomalies for different orientations of an external magnetic field. // Phys.Rev.B, 1997, V.56, N.3, P.1456-1460.
  3. G.M. Minkov, A.V. Germanenko, S.A. Negachev et al, Magnetic-field-dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb oxide-n-InAs structures:Coexistence of two- and three-dimensional states, //Phys.Rev.B, 1999, V.59, N.20, P.13139-13146.
  4. И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, Е.Н. Морозова и др., Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком //ПЖЭТФ, 2012, Т.96, №9, С. 646-650.
  5. И.Н. Котельников В.А. Кокин, Ю.В. Федоров и др., Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/delta-GaAs // ПЖЭТФ, 2000, Т. 71, № 9, С. 564-569.
  6. С.Е. Дижур, И.Н. Котельников, Е.М. Дижур, Отражение электронов при туннелировании и межподзонный резонансный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs // Радиотехника и электроника, 2006, Т. 51, №5, С. 625-632.
  7. G. D. Mahan, Many-particle physics (New York: Kluwer) Ch.7, Sec.7.3, 2000.
  8. A.S. Alexandrov and J.T. Devreese, Advance in Polaron Physics,//Springer Series in Solid-State Sciences, Vol.159 (Springer-Verlag, Heidelberg, 2010).