Высокочастотные диэлектрические измерения легированного монокристалла TlGaS2(Cr)

Аннотация

В слоистых монокристаллах TlGaS₂<Cr> изучена частотная дисперсия тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ), действительной (ε) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и ac-проводимости (σ_ac) поперек слоев в области частот f=5·10⁴÷3.5·10⁷ Hz. Установлено, что в изученных монокристаллах TlGaS₂<Cr> имеет место релаксационная дисперсия. Частичное замещение галлия в монокристаллах TlGaS₂ хромом приводит к модифицированию дисперсионных кривых ε′(f) и ε″(f). В диапазоне частот f = 4·10⁵÷1.2·10⁷ Hz ac-проводимость монокристалла TlGaS₂<Cr> подчинялась закономерности σ_ac ~ f ^0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность (N_F) и разброс (∆E) состояний, лежащих в окрестности уровня Ферми N_F = 1.6·10¹⁹ eV^-1·cm^-3 и ∆E = 5·10^-2 eV; среднее время (τ) и расстояние (R) прыжков τ = 0.16 mks и R = 85 Å.

Для цитирования

Литература

1. С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998).
2. С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004).
3. С.Н.Мустафаева, Э.М.Керимова, Ю.Г.Асадов. Тез. докл. XII-ой Национальной конф. по росту кристаллов. НКРК-2006. Ин-т кристаллографии имени А.В.Шубникова РАН. Москва. 2006. С. 202.
4. Н.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. 1974. 472 с.
5. 5.M.Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971).
6. V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli. Nuovo Cimento B 38, 2, 327 (1977).
7. К.Р.Аллахвердиев, Е.А.Виноградов, Р.Х.Нани и др. Колебательный спектр кристалллов TlGaS2, TlGaSe2 и β-TlInS2 // В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Баку: Элм. 1982. С. 55 - 63.