ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2015, № 6 · РАДИОТЕХНИКА

Применение шлейфных структур в многоканальных переключающих устройствах СВЧ

И.А. Петров1

1 ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга», Россия
Полный текст УДК 621.372.832 EDN TYZEJD

Аннотация

В статье рассматриваются принципы проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Анализируются достоинства и недостатки различных схем переключателей. Показано, что применение шлейфных структур с короткозамкнутыми и разомкнутыми шлейфами позволяет расширять диапазон рабочих частот, увеличивать уровни переключаемой мощности, уменьшать ослабление в открытых и увеличивать ослабление в закрытых каналах, уменьшать габариты.

  • шлейфные структуры
  • переключатели
  • shunting structures
  • switching devices
  • полупроводниковые элементы
Abstract (in English)

Principles of the designing switching devices with semiconductor elements are considered in article. Value and defect of the different schemes of the switches are given analysis. Using Shunting Structures with short-circuit and open-circuit stub, allows to increase the range a worker frequencies, enlarge the level to power, reduce the weakening in opened and enlarge the weakening in closed channel, reduce the size.

Для цитирования

Петров И.А. Применение шлейфных структур в многоканальных переключающих устройствах СВЧ // Журнал радиоэлектроники. – 2015. – № 6.

Литература

  1. Armistead M.A., Spencer E.G. and Hatcher R.D. Microwave Semi-Conductor Switch. // Proc. IRE, vol. 44, p. 1875, December, 1956.
  2. Carver R.V. Theory of TEM Diode Switching. // IRE Trans. on Microwave Theory and Techniques., vol. MTT-9, 1961, № 3, pp.224-238.
  3. Ficher R.F. Brodband Microwave Diode switches // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques. 1965. v. MTT-13. № 5. P. 706-709.
  4. White J.E., Mortenson K.E. Diode SRDT Switch at High Power With Octave Microwave Bandwidt // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques. 1968. v. MTT-16. № 1.
  5. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет. / Под ред. И.В. Мальского, Б.В. Сестрорецкого. М.: Сов. Радио, 1969.
  6. Либерман Л.С., Сестрорецкий Б.В., Шпирт В.А., Якубень Л.Н. Полупроводниковые диоды для управления СВЧ мощностью. // Радиотехника, 1972, т.27, № 5.
  7. Воробьевский Е.М. Многоканальный переключатель. / Авторское свидетельство, №451150, Н01р 1/10. Заявлено 06.04.1972. Опубликовано 25.11.1975, бюллетень №43.
  8. Петров И.А. Многоканальный переключатель / Авторское свидетельство № 881902 H01P 1/15. Приоритет от 06.09.1976. Опубликовано 15.11.1981, бюллетень № 42.
  9. Чижов А.И., Орлов О.С. Расчет и анализ характеристик широкополосных дискретных фазовращателей. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. вып. 5. С. 13-16.
  10. Орлов О.С., Чижов А.И., Фефелов А.Г., Прудовский В.И. Выключатели СВЧ на полевых транзисторах с затвором Шоттки. // Электронная техника. Сер. 1 «Электроника СВЧ», 1986, вып.3, с.50-54.
  11. Петров И.А. Многоканальные СВЧ переключатели с полупроводниковыми элементами на основе широкополосных согласующих структур. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2011. Т. 14. № 4. С. 60-66.
  12. Лобанов Б.С., Петров И.А., Неганов В.А. Структурный синтез СВЧ устройств с использованием шлейфных четырехполюсников. Электронный журнал «Журнал радиоэлектроники». М., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. 2014, № 1. 15c. URL: http://jre.cplire.ru/jre/jan14/6/text.pdf
  13. Петров И.А. Частотные свойства реактивных симметричных четырехполюсников на основе шлейфных структур. Электронный журнал «Журнал радиоэлектроники». М., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. 2014, № 1. 21c. URL: http://jre.cplire.ru/jre/jan14/7/text.pdf