ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2016, № 5 · СМЕЖНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей

Е.Л. Панкратов1, Е.А. Булаева1,2

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Россия
2 Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет, Россия
Полный текст EDN WNDAPL

Аннотация

В данной работе рассматривается влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения концентраций примесей в ней. Определяются условия увеличения резкости формируемых в данном технологическом процессе p - n -переходов (одиночных и в составе биполярных транзисторов). Одновременно исследуется влияние скорости заращивания областей и механических напряжений в рассматриваемой гетероструктуре на распределения концентраций примесей в ней.

  • p-n-гетеропереходы
  • P-N-HETEROJUNCTIONS
  • механические напряжения
  • заращивание
Abstract (in English)

N this paper we consider influence of overgrowth of doped by diffusion and ion implantation areas of heterostructures on distributions of concentrations of dopants. Several conditions to increase sharpness of p - n -junctions (single and framework bipolar transistors), which were manufactured during considered technological process, have been determined. At the same time we analyzed influence of speed of overgrowth of doped areas and mechanical stress in the considered heterostructure on distribution of concentrations of dopants in the structure.

Для цитирования

Панкратов Е.Л., Булаева Е.А. Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей // Журнал радиоэлектроники. – 2016. – № 5.

Литература

  1. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону: Феникс, 2001.
  2. D. Fathi, B. Forouzandeh. Nano. Vol. 4 (3). P. 171-176 (2009).
  3. D. Fathi, B. Forouzandeh, N. Masoumi. Nano. Vol. 4 (4). P. 233-238 (2009).
  4. S.A. Chachuli, P.N.A. Fasyar, N. Soin, N.M. Karim, N. Yusop. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 24. P. 9-14 (2014).
  5. Jung-Hui Tsai, Shao-Yen Chiu, Wen-Shiung Lour, Der-Feng Guo. ФТП. Т. 43 (7). С. 971-974 (2009).
  6. J.Y. Choi, Ch. Park. Circuits and Systems. Vol. 2 (3). P. 170-182 (2011).
  7. M.J. Kumar, T.V. Singh. Int. J. Nanoscience. Vol. 7 (2-3). P. 81-84 (2008).
  8. P. Sinsermsuksakul, K. Hartman, S.B. Kim, J. Heo, L. Sun, H.H. Park, R. Chakraborty, T. Buonassisi, R.G. Gordon. Appl. Phys. Lett. Vol. 102 (5). P. 053901-053905 (2013).
  9. R. Laajimi, M. Masmoudi. Circuits and Systems. Vol. 3 (4). P. 311-316 (2012).
  10. A. Ghorbani, A. Ghanaatian. Circuits and Systems. Vol. 3 (3). P. 263-268 (2012).
  11. Y.W. Zhang, A.F. Bower. Journal of the Mechanics and Physics of Solids. Vol. 47 (11). P. 2273-2297 (1999).
  12. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. Vol. 61. № 2. P. 289-388 (1989).
  13. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  14. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  15. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 7 (Теория упругости). М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001.
  16. Ю.Д. Соколов. Прикладная Механика. Т.1 (1). С. 23-35 (1955).
  17. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Reviews in Theoretical Science. Vol. 1 (1). P. 58-82 (2013).
  18. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1-1250028-8 (2012).
  19. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 10 (4). P. 888-893 (2013).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Micro-Nano Scale Transp. Vol. 4 (1). P. 17-31 (2014).
  21. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 11 (1). P. 91-101 (2014).