Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2016, № 5 · RADIO ELECTRONICS RELATED PROBLEMS

Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей

E.L. Pankratov1, E.A. Bulaeva1,2

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Russia
2 Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет, Russia
Full text EDN WNDAPL

Abstract

N this paper we consider influence of overgrowth of doped by diffusion and ion implantation areas of heterostructures on distributions of concentrations of dopants. Several conditions to increase sharpness of p - n -junctions (single and framework bipolar transistors), which were manufactured during considered technological process, have been determined. At the same time we analyzed influence of speed of overgrowth of doped areas and mechanical stress in the considered heterostructure on distribution of concentrations of dopants in the structure.

  • mechanical stress
  • overgrowth
Аннотация (на русском)

Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей

В данной работе рассматривается влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения концентраций примесей в ней. Определяются условия увеличения резкости формируемых в данном технологическом процессе p - n -переходов (одиночных и в составе биполярных транзисторов). Одновременно исследуется влияние скорости заращивания областей и механических напряжений в рассматриваемой гетероструктуре на распределения концентраций примесей в ней.

For citation

Pankratov E.L., Bulaeva E.A. Влияние заращивания диффузионно и ионно легированных областей гетероструктуры на распределения в ней концентраций примесей // Journal of Radio Electronics. – 2016. – No. 5.

References

  1. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону: Феникс, 2001.
  2. D. Fathi, B. Forouzandeh. Nano. Vol. 4 (3). P. 171-176 (2009).
  3. D. Fathi, B. Forouzandeh, N. Masoumi. Nano. Vol. 4 (4). P. 233-238 (2009).
  4. S.A. Chachuli, P.N.A. Fasyar, N. Soin, N.M. Karim, N. Yusop. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 24. P. 9-14 (2014).
  5. Jung-Hui Tsai, Shao-Yen Chiu, Wen-Shiung Lour, Der-Feng Guo. ФТП. Т. 43 (7). С. 971-974 (2009).
  6. J.Y. Choi, Ch. Park. Circuits and Systems. Vol. 2 (3). P. 170-182 (2011).
  7. M.J. Kumar, T.V. Singh. Int. J. Nanoscience. Vol. 7 (2-3). P. 81-84 (2008).
  8. P. Sinsermsuksakul, K. Hartman, S.B. Kim, J. Heo, L. Sun, H.H. Park, R. Chakraborty, T. Buonassisi, R.G. Gordon. Appl. Phys. Lett. Vol. 102 (5). P. 053901-053905 (2013).
  9. R. Laajimi, M. Masmoudi. Circuits and Systems. Vol. 3 (4). P. 311-316 (2012).
  10. A. Ghorbani, A. Ghanaatian. Circuits and Systems. Vol. 3 (3). P. 263-268 (2012).
  11. Y.W. Zhang, A.F. Bower. Journal of the Mechanics and Physics of Solids. Vol. 47 (11). P. 2273-2297 (1999).
  12. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. Vol. 61. № 2. P. 289-388 (1989).
  13. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  14. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  15. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 7 (Теория упругости). М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001.
  16. Ю.Д. Соколов. Прикладная Механика. Т.1 (1). С. 23-35 (1955).
  17. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Reviews in Theoretical Science. Vol. 1 (1). P. 58-82 (2013).
  18. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1-1250028-8 (2012).
  19. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 10 (4). P. 888-893 (2013).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Micro-Nano Scale Transp. Vol. 4 (1). P. 17-31 (2014).
  21. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 11 (1). P. 91-101 (2014).